科学研究：

研究方向：

1. 分子自组装结构及机制

2. 室温单分子操纵

3. 有机分子-金属界面相互作用

研究设备：

超高真空扫描隧道显微镜

承担科研项目情况：

主持多项国家级、省部级项目。

1． 国家级项目：太阳能利用中染料-氧化物界面能量转换与传递机理研究，2009。

2． 国家级项目：有机分子-金属界面的超快电荷转移的同步辐射共振光电子谱研究，2009。

3． 国家级项目：叶绿素a_富勒烯分子结的电荷转移过程及其电学特性研究，2008。

4． 省部级项目：单个生物分子及其异质分子结的电荷转移研究，2008。

5． 省部级项目：生物分子结构建及其电荷转移研究，2008。

科研成果：

资料更新中……

学术交流：

会议交流：

1． “Conservation of charge transfer-induced chirality of achiral molecules on metal surface”，第一届全国高能加速器（重大科技基础设施）战略研讨会暨用户年会，2011年8月25日，北京

2． “Chiral Supramolecular Self-assembly on Metal Surfaces”, 27th European Conference on Surface Science, September 3, 2010, Groningen, Holland

3． “Chiral Supramolecular Self-assembly of Rubrene on Au(111)”，18th International Vacuum Congress，August 25, 2010, Beijing

4． “Photoemission Study of Rubrene on Au Surface”，合肥国家同步辐射实验室用户年会，2010年8月2日，兰州

5． “Ultrafast Interfacial Charge Transfer across Molecule/Metal by Resonant Photoemission”，合肥国家同步辐射实验室，2009年8月1日

6． “Research Progress on NCU STM System”，SPECS Workshop, August 25, 2010, Beijing

7． “Self-assembly of organic molecules on solid surfaces”, SPECS Workshop, September 11, Beijing

8． “Deformation of Cobalt Phthalocyanine inside a Carbon Nanotube”, International conference on Advanced Material and Technology 2007, Singapore

9． “Molecular Orientation and Ordering during Initial Growth of Copper Phthalocyanine on Si(111)”, International conference on Advanced Material and Technology 2007, Singapore

10． “Orientation-Dependent Delocalization of Molecular Orbitals at a Molecule-Metal Junction”, International Conference on Organic Electronics, Eindhoven, 2006

11． “Interfacial Charge Transfer by Core-hole Clock”, Nagoya University, Japan, 2006

院校交流：

1． “Chiral Structures on Solid Surfaces and Single Molecule Manipulation at Room Temperature”，华中科技大学，2011年8月20日

2． “Chiral Structures at solid surfaces”，国防科技大学，2011年6月2日

3． “Chiral Structures at solid surfaces”，中南大学，2011年5月16日

4． “Chiral Structures at solid surfaces”，天津大学，2011年4月7日

5． “Scanning Tunneling Microscopy -A Powerful Tool for Nanoscience ”，赣南师范学院，2008年12月5日

发明专利：

[1]王立,王震东,陈鹏. 一种过渡金属硫属化合物二维材料图形化生长的方法[P]. CN105803421B,2020-03-20.

[2]罗岚,刘勇,王立,王雨,郭锐. 一种耐蚀性可调控的镁合金表面多级纳米涂层的制备方法[P]. CN107723680B,2019-10-29.

[3]刘虎,王立,章少华,何沅丹,何海洋,林凯茜. 一种白光LED封装结构及封装方法[P]. CN108767085B,2019-10-01.

[4]王立,郭守晖,范定环. 一种制备碳纳米管阵列-石墨烯混合结构的简易方法[P]. CN106086811B,2019-07-26.

[5]王立,朱怡远. 胶体量子点薄膜图案化方法[P]. CN109560206A,2019-04-02.

[6]王立,朱怡远. 胶体量子点改性方法[P]. CN109400641A,2019-03-01.

[7]王立,齐维靖,刘晓烁. 一种锂离子电池用的柔性无集流体薄膜极片制备方法[P]. CN109360939A,2019-02-19.

[8]刘虎,何海洋,朱怡远,王立. 卤化铅铯钙钛矿量子点胶体及量子点荧光粉制备方法[P]. CN109266343A,2019-01-25.

[9]彭洪,冯星灿,王立. 一种多晶氮化铟的制备方法[P]. CN109056070A,2018-12-21.

[10]刘虎,王立,章少华,何沅丹,何海洋,林凯茜. 一种白光LED封装结构及封装方法[P]. CN108767085A,2018-11-06.

[11]王立,王震东,王剑宇,张思鸿. 一种可连续进样生长过渡金属硫属化合物晶体的实验装置[P]. CN208008947U,2018-10-26.

[12]刘虎,王立,章少华,何沅丹,孙沁瑶,姚勇. 一种黄光LED封装结构及封装方法[P]. CN108548105A,2018-09-18.

[13]罗岚,刘勇,王立,王雨,郭锐. 一种耐蚀性可调控的镁合金表面多级纳米涂层的制备方法[P]. CN107723680A,2018-02-23.

[14]刘诗涛,王立. 一种铟镓氮薄膜太阳能电池[P]. CN206076259U,2017-04-05.

[15]刘诗涛,王立. 一种基于氧化锌作为电子输运层的铟镓氮薄膜太阳能电池[P]. CN106449851A,2017-02-22.

[16]刘虎,王立,饶郑刚,田婷芳,舒龙龙,章少华. 一种废旧LED照明灯泡回收方法[P]. CN106381390A,2017-02-08.

[17]王立,郭守晖,范定环. 一种制备碳纳米管阵列#石墨烯混合结构的简易方法[P]. CN106086811A,2016-11-09.

[18]王立,王震东,陈鹏. 一种过渡金属硫属化合物二维材料图形化生长的方法[P]. CN105803421A,2016-07-27.

[19]王立,蔡峰,刘世昌,易常瑞,王仲平. 一种基于摩擦发电的声电转换器件及其制作方法[P]. CN105208497A,2015-12-30.

[20]王立,蔡峰,易常瑞,刘世昌. 一种探测脉搏波和心尖搏动波形的器件及其制作方法[P]. CN104305970A,2015-01-28.

[21]方文卿,方恺齐,王立,邓坚贞,王小平. 一种用智能手机监测PM2.5的系统[P]. CN103868835A,2014-06-18.

[22]王立,江风益. 一种具有边缘隔离结构的硅衬底[P]. CN103746051A,2014-04-23.

[23]王立,王朝成. 一种制备单晶石墨烯的装置[P]. CN203187782U,2013-09-11.

[24]王立,王朝成. 一种大尺寸单晶石墨烯的制备方法[P]. CN103255474A,2013-08-21.

[25]王立,王仲平,欧阳洪萍,宋新,刘小青. 大面积金红石型二氧化钛(110)(1×1)表面的制备方法[P]. CN102534806A,2012-07-04.

[26]王立,张学富. 石墨烯基复合管及其制备工艺[P]. CN102432002A,2012-05-02.

[27]王立,陈秀,刘拉程,柳树毅. 具有规则形状的石墨烯单晶畴的制备方法[P]. CN102345168A,2012-02-08.

[28]王立,刘小青,张学富,欧阳洪萍,陈烽,孔惠慧. 单原子厚度纳米硅带的制备方法[P]. CN102219216A,2011-10-19.

[29]王立,杜鑫利,张学富. 多晶石墨烯薄膜制备工艺及透明电极和制备石墨烯基器件[P]. CN102181843A,2011-09-14.

[30]王立,杜鑫利,张学富,武煜宇. 一种利用聚甲基丙烯酸甲酯转移石墨烯的方法[P]. CN102173412A,2011-09-07.

[31]王立,张学富,欧阳洪萍,陈烽,孔惠慧,陈秀. 制备低缺陷大面积硅(100)- 2x1重构表面的方法[P]. CN102154709A,2011-08-17.

[32]江风益,方文卿,王立,莫春兰,刘和初,周毛兴. 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法[P]. CN1953220,2007-04-25.

[33]江风益,邵碧琳,王立,方文卿. 在硅衬底上制备高质量发光半导体薄膜的方法[P]. CN1801500,2006-07-12.

[34]江风益,熊传兵,方文卿,王立. 含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法[P]. CN1794476,2006-06-28.

[35]王立,江风益,周毛兴,方文卿. 含有金锗镍的欧姆电极、铟镓铝氮半导体发光元件及制造方法[P]. CN1794477,2006-06-28.

[36]江风益,王立,方文卿. 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法[P]. CN1770484,2006-05-10.

[37]王立,江风益,方文卿. 铟镓铝氮发光器件[P]. CN1770485,2006-05-10.

[38]江风益,王立,方文卿. 半导体发光器件及其制造方法[P]. CN1770486,2006-05-10.

[39]王立,方文卿,江风益. 在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法[P]. CN1734799,2006-02-15.

[40]江风益,王立,方文卿,周毛兴,刘和初. 具有内陷电极的半导体发光元件[P]. CN1719631,2006-01-11.

[41]江风益,方文卿,王立,莫春兰,刘和初,周毛兴. 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法[P]. CN1697205,2005-11-16.

[42]江风益,王立,熊传兵,方文卿,刘和初,周毛兴. 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法[P]. CN1694271,2005-11-09.

[43]江风益,蒲勇,王立,方文卿. 用于化合物半导体材料生长的喷头及原料输入方法[P]. CN1664165,2005-09-07.

 论文专著：

在 Journal of the AmericanChemical Society, Nano Letters, Applied Physics Letters,Journal of Physical Chemistry B, Physical Review B,Surface Science等国际著名SCI检索期刊上共发表论文58余篇。

出版专著：

资料更新中……

发表英文论文：

1. Chiral Recognition of Zinc Phthalocyanine on Cu(100) Surface Applied Physics Letters 100, 081602 (2012) Feng Chen, Xiu Chen, Lacheng Liu, Xin Song, Shuyi Liu, Juan Liu, Hongping Ouyang, Yingxiang Cai, Haibing Pan, Junfa Zhu, Li Wang*

2.Ag-induced Si(100) reconstruction:Si(100)-( )R45o-Ag Physical Review B 84, 153411 (2011) Xuefu Zhang, Yingxiang Cai, Feng Chen, Huihui Kong, Hongping OuYang, Shuyi Liu, Xiaoqing Liu, Li Wang*

3.Ultrahin monolayer of rubrene on Au(111) induced by charge transfer Surface and Interface Analysis 43, 1494 (2011) Xiaoqing Liu, Huihui Kong, Xin Song, Lei Liu, Li Wang*

4.Adsorption geometry of individual fullerene on Si surface at room-temperature Applied Physics Letters 97, 253106 (2010) (also highlighted in Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology, January 3, 2011, Vol. 23, Issue 1, AIP research highlight Xinli Du, Feng Chen, Xiu Chen, Xianxin Wu, Yingxiang Cai, Xiaoqing Liu, Li Wang*

5.Chiral supramolecular self-assembly of rubrene Physical Chemistry Chemical Physics 12, 14637 (2010) Li Wang*, Huihui Kong, Xing Song, Xiaoqing, Liu, Hongming Wang

6.Role of oxygen incorporation in electronic properties of rubrene films Applied Physics Letters 97, 032106 (2010) Xin Song, Li Wang*, Qitang Fan, Yuyu Wu, Hongming Wang, Chunmei Liu, Nianhua Liu, Junfa Zhu, Dongchen Qi, Xingyu Gao, Andrew T. S. Wee

7.C60 submonolayers on the Si(111)-(7 x 7) surface: Does a mixture of physisorbed and chemisorbed states exist? Surface Science 603, 2896 (2009) S. Gangopadhyay, R. A. J. Woolley, R. Danza, M. A. Phillips, K. Schulte, L. Wang, V. R. Dhanak, P. J. Moriarty

8.Conformation-induced Self-assembly of Rubrenen on Au(111) Surface Applied Physics Letters 95, 093102 (2009) (Also highlighted in Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology, September 14, 2009, Volume 20 , Issue 11) Li Wang, Huihui Kong, Xiu Chen, Xinlin Du, Feng Chen, Xiaoqing Liu, Hongming Wang

9.Charge transfer across the molecule/metal interface using the core hole clock technique (11.923) Surface Science Reports 63, 465 (2008) Li Wang, Wei Chen, Andrew TS Wee

10.Conformational degree and molecular orientation in rubrene film by in situ x-ray absorption spectroscopy Journal of Applied Physics 102, 063504 (2007) Li Wang, Shi Chen, Dongchen Qi, Xingyu Gao, Andrew TS Wee

11.Thickness-dependent energy level alignment of rubrene adsorbed on Au(111) Applied Physics Letters 90, 132121 (2007) Li Wang, Shi Chen, Lei Liu, Dongcheng Qi, Xingyu Gao, Andrew TS Wee

12.Molecular orientation and ordering during initial growth of copper phthalocyanine on Si(111) Journal of Physical Chemistry C 111, 3454 (2007) Li Wang, Dongchen Qi, Lei Liu, Shi Chen, Xingyu Gao, Andrew TS Wee

13.Shielding copper atoms by distortion of phthalocyanine rings on Si(111) (1.855) Surface Science 601, 4212 (2007) Li Wang, Shi Chen, Dongchen Qi, Xingyu Gao, Andrew TS Wee

14.Configuration-dependent interface charge transfer at a molecule-metal junction Journal of the American Chemical Society 128, 8003 (2006) L. Wang, L. Liu, W. Chen, YP Feng, ATS Wee

15.Resonant photoemission study of single-strand deoxyribonucleic acid Applied Physics Letters 89，013902 (2006) (also highlighted in Virtual Journal of Biological Physics Research, July 15 2006, Volume 12, Issue 2) L. Wang, KQ Zhang, XY Gao, XY Liu, ATS WEE

16.Ultrafast electron transfer from oligo(p-phenylene-ethynylene)thiol to gold Journal of Physical Chemistry B 110, 674 (2006) L Wang, W. Chen, C. Huang, ZK Kuan, ATS Wee

17.Morphology, Structure and Electronic Properties of Ce@C82 Films on Ag:Si(111)-( ) R30o Surface Science 564, 165 (2004) L. Wang, K. Schulte, RAJ Wooley, M. Kanai, TJS Dennis, J. Purton, S. Patel, S. Gorovikov, VR Dhanak, E. F. Smith, BCC Cowie and P. Moriarty

18.Thermally Activated Drift Mobility and Small Polaron Conduction in La0.75Sr0.11Ca0.14MnO3 Thin Films Investigated by the Traveling Wave Method Physical Review B 60, R 6976 (1999) (Rapid Communications ) Li Wang, Jiang Yin, Shaoyun Huang, Xinfan Huang, Jun Xu, Zhiguo Liu, Kunji Chen

19.Thermal Annealing of a-Si:H/a-SiNx:H Multilayers Applied Physics A 74, 783 (2002) Li Wang, Xinfan Huang, Zhongyuan Ma, Zhifeng Li, Jianjun Shi, Lin Zhang, Yun Bao, Xiaowei Wang, Wei Li, Jun Xu, Kunji Chen

20. Interface Confinement and Local Structure in nc-Si/a-SiNx:H Multilayers Journal of Physics: Condensed Matter 13, 9857 (2001) Li Wang, Xiaowei Wang, Xinfan Huang, Zhifeng Li, Zhongyuan Ma, Lin Zhang, Yun Bao, Jianjun Shi, Wei Li, Xiaohui Huang, Jun Xu, Kunji Chen

21.Surface Morphology and Structural Observation of Laser Interference Crystallizated a-Si:H/a-SiNx:H Multilayers Applied Surface Science 165, 85 (2000) Li Wang, Jian Li, Xinfan Huang, Qilinag Li, Xiaobao Yin, Wenbin Fan, Jun Xu, Wei Li, Zhifeng Li, Jianming Zhu, Mu Wang, Zhiguo Liu, Kunji Chen

22.Effect of functional group (fluorine) of aromatic thiols on electron transfer at the molecule-metal interface Journal of the American Chemical Society 128, 935 (2006) W. Chen, L. Wang, C. Huang, TT Lin, XY Gao, KP Loh, ZK Chen, ATS Wee

23.Probing the ultrafast electron transfer at the CuPc/Au(111) interface Applied Physics Letters 88, 184102 (2006) W. Chen, L. Wang, DC Qi, S. Chen, XY Gao, ATS Wee

24.Well shielded cerium atoms: electronic structures of adsorbed Ce@C82 on Si surfaces Physical Review B 77, 115437 (2005) K. Schulte, L. Wang, P. J. Moriarty, M. Kanai, TJS. Dennis, J. Purton and S. Patel K. Schulte, R. A. J. Woolley, L. Wang, P. J. Moriarty, P. R. Birkett, H. W. Kroto, B. C. C. Cowie

25.Drift Mobility of Semiconductive La0.5Sr0.5CoO3 Films Measured Using the Traveling Wave Method Applied Physics Letters 76, 580 (2000) J. Yin, L. Wang, J. M. Liu, K. J. Chen, Z. G. Liu, Q. Huang

26.Three-dimensional Ordered Nano-crystalline Si Made by Pulsed Laser Interference Crystallization of a-Si:H/a-SiNx:H Multilayers Journal of Non-crystalline Solids 266-269, 1015 (2000) Xinfan Huang, Li Wang, Jian Li, Wei Li, Ming Jiang, Jun Xu, Kunji Chen

27.Surface transfer doping of diamond (100) by tetrafluoro-tetracyanoquinodimethane Journal of the American Chemical Society 129, 8084 (2007) Dongchen Qi, Wei Chen, Xingyu Gao, Li Wang, Shi Chen, Kianping Loh, Andrew TS Wee

28.Tuning the hole injection barrier at the organic/metal interface with self-assembled functionalized aromatic thoil Journal of Physical Chemistry B 110, 26075 (2006) W. Chen, C. Huang, X. Gao, L. Wang, C. Zheng, D. Qi, S. Chen, H. Zhang, K. Loh, Z. Chen, A. Wee

29.Does an encapsulated atom 'feel' the effects of adsorption?: X-ray standing wave spectroscopy of Ce@C-82 on Ag(111) Nanoletters 4, 361 (2004) RAJ Woolley, KHG Schulte, L. Wang, PJ Moriarty, BCC Cowie, H. Shinohara, M. Kanai and TJS Dennis

30. Vacuum Electron Emission with Low Turn-on Electric Field from Hydrogenated Amorphous Carbon Thin Films Applied Physics Letter 79, 141 (2001) J. Xu, X.H. Huang, W. Li, L. Wang, X.F. Huang, K.J. Chen, J.B. Xu, I.H. Wilson

31.The dependence of the interface and shape on the constrained growth of nc-Si in a-SiNx/a-Si : H/a-SiNx Journal of Physics: Condensed Matter 14, 10083 (2002) L. Zhang, K. Chen, L. Wang, W. Li, J. Xu, X.F. Huang and K. J. Chen

32.Control of size and shape of nc-Si in a-SiN(x)/a-Si:H multilayers by laser induced constrained crystallization Applied Physics A-Materials Science & Processing 77, 485 (2003) L. Zhang, K. Chen, X. Huang, L. Wang, J. Xu, W. Li

发表中文期刊论文：

[1]刘诗涛,全知觉,王立.Carrier transport via V-shaped pits in InGaN/GaN MQW solar cells[J].Chinese Physics B,2017,26(03):562-567.

[2]刘诗涛,王立,伍菲菲,杨祺,何沅丹,张建立,全知觉,黄海宾.InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究[J].发光学报,2017,38(01):63-69.

[3]吕燕,吕文刚,王立.Structure Dependence of Excitonic Effects in Chiral Graphene Nanoribbons[J].Chinese Physics Letters,2017,34(01):107-111.

[4]曹峻松,郑畅达,全知觉,方芳,汤英文,王立.Si衬底上侧向外延生长GaN的研究[J].半导体光电,2015,36(04):569-573.

[5]江风益,刘军林,王立,熊传兵,方文卿,莫春兰,汤英文,王光绪,徐龙权,丁杰,王小兰,全知觉,张建立,张萌,潘拴,郑畅达.硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2015,45(06):19-36.

[6]武芹,全知觉,王立,刘文,张建立,江风益.Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响[J].发光学报,2015,36(04):466-471.

[7]向菲菲,李超,王仲平,刘小青,吕燕,蒋丹凤,冷新丽,王立.温度诱导5,15-二苯基卟啉在银(110)表面上的自组装行为[J].南昌大学学报(理科版),2015,39(01):60-65.

[8]黄斌斌,熊传兵,张超宇,黄基锋,王光绪,汤英文,全知觉,徐龙权,张萌,王立,方文卿,刘军林,江风益.硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究[J].物理学报,2014,63(21):388-394.

[9]王立,徐颜美,程竹君,熊招平,邓立彬.胆固醇代谢紊乱的遗传学研究进展[J].遗传,2014,36(09):857-863.

[10]王仲平,刘小青,宋新,凌杰,王立.高质量二氧化钛(110)-(1×1)表面的原位氧化法制备[J].南昌大学学报(理科版),2014,38(01):48-52+57.

[11]刘小青,陈烽,陈秀,刘拉程,王立.铜(110)c(2×1)-O模板调控的富勒烯纳米结构[J].南昌大学学报(理科版),2013,37(06):526-530.

[12]邓立彬,王立,熊招平,匡渤海,赵会安.遗传性心律失常猝死的分子解剖研究现状及展望[J].中国法医学杂志,2013,28(06):488-492.

[13]陈秀,陈烽,刘拉程,柳叔毅,刘小青,王立.四氰基乙烯分子在铜(110)c(2×1)-O表面上的吸附行为[J].南昌大学学报(理科版),2013,37(02):168-170+204.

[14]王光绪,熊传兵,王立,刘军林,江风益.Si衬底LED薄膜芯片Ni/Ag反射镜保护技术[J].半导体技术,2013,38(04):283-287.

[15]陶喜霞,王立,刘彦松,王光绪,江风益.p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响[J].发光学报,2011,32(10):1069-1073.

[16]郑湘娟,胡六根,刘坚,王立,洪三国,余淑娴.以香豆素为配体的三元稀土配合物的合成及发光性能的研究[J].稀土,2011,32(05):44-48.

[17]邱虹,刘军林,王立,江风益.SiON钝化膜对硅衬底氮化镓绿光LED可靠性的影响[J].发光学报,2011,32(06):603-607.

[18]刘小青,王立.有机太阳能电池应用前景展望[J].能源研究与管理,2010(04):1-3+16.

[19]熊传兵,江风益,王立,方文卿,莫春兰.硅衬底垂直结构InGaAlN多量子阱发光二极管电致发光谱的干涉现象研究[J].物理学报,2008,57(12):7860-7864.

[20]刘玉娟,张斌,王坤,姚淑德,王立,江风益.用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变[J].核技术,2007(08):657-659.

[21]李璠,李冬梅,戴江南,王立,蒲勇,方文卿,江风益.缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响[J].南昌大学学报(理科版),2007(02):181-185.

[22]肖祁陵,张萌,王立.高质量GaN/Al_2O_3薄膜的三晶高分辨X射线衍射研究[J].功能材料与器件学报,2006(06):524-528.

[23]程海英,王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,戴江南,江风益.MOCVD方法在Cu/Si(111)基板上生长ZnO薄膜[J].南昌大学学报(理科版),2006(06):585-589.

[24]李璠,王立,戴江南,蒲勇,方文卿,江风益.常压化学气相沉积技术生长ZnO:H薄膜的光学性质[J].光学学报,2006(10):1585-1588.

[25]程海英,方文卿,莫春兰,刘和初,王立,江风益.δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究[J].光学学报,2006(08):1269-1273.

[26]苏宏波,戴江南,蒲勇,王立,李方,文卿,江风益.生长温度对ZnO薄膜性能的影响[J].半导体学报,2006(07):1221-1224.

[27]苏宏波,戴江南,王立,蒲勇,方文卿,江风益.N_2O为氧源金属有机化学气相沉积生长ZnO薄膜的光学性能研究[J].光学学报,2006(07):1112-1114.

[28]邵碧琳,江风益,戴江南,王立,方文卿,蒲勇.常压化学气相沉积法在Ag/Si(111)模板上生长ZnO薄膜及其性能研究[J].光学学报,2006(07):1115-1118.

[29]熊传兵,江风益,方文卿,王立,刘和初,莫春兰.硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能[J].中国科学E辑:技术科学,2006(07):733-740.

[30]戴江南,王立,方文卿,蒲勇,李璠,郑畅达,刘卫华,江风益.常压MOCVD生长Ga_2O_3薄膜及其分析[J].发光学报,2006(03):417-420.

[31]王立,蒲勇,方文卿,莫春兰,熊传兵,江风益.表面覆盖退火对ZnO薄膜光学性质的影响(英文)[J].半导体学报,2006(03):409-412.

[32]郑畅达,王立,方文卿,蒲勇,戴江南,江风益.ZnO/AlN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究[J].光学学报,2006(03):463-466.

[33]刘卫华,李有群,方文卿,周毛兴,刘和初,莫春兰,王立,江风益.Si衬底GaN基LED理想因子的研究[J].功能材料与器件学报,2006(01):45-48.

[34]方芳,王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,苏宏波,江风益.MOCVD方法在Ni/Si(111)模板上生长ZnO薄膜[J].南昌大学学报(理科版),2006(01):56-58+62.

[35]李冬梅,李璠,苏宏波,王立,戴江南,蒲勇,方文卿,江风益.MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究[J].人工晶体学报,2006(01):63-65+70.

[36]戴江南,王立,方文卿,蒲勇,莫春兰,熊传兵,郑畅达,刘卫华,江风益.常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al_2O_3薄膜及其性能[J].发光学报,2005(06):772-776+841.

[37]陈玉凤,温战华,王立,戴江南,方文卿,江风益.退火对常压MOCVD法生长的高结晶性能ZnO薄膜发光特性的影响[J].发光学报,2005(05):59-64.

[38]莫春兰,方文卿,王立,刘和初,周毛兴,江风益.硅衬底GaN基LED的研究进展[J].液晶与显示,2005(05):66-73.

[39]郑畅达,方文卿,王立,莫春兰,蒲勇,戴江南,刘卫华,江风益.ZnO外延膜与蓝宝石衬底的取向偏差及其弯曲变形[J].发光学报,2005(03):385-390.

[40]王立,方文卿,蒲勇,郑畅达,戴江南,莫春兰,江风益.色散对GaN和ZnO的XRD摇摆曲线的影响[J].半导体学报,2005(05):917-921.

[41]温战华,王立,方文卿,蒲勇,罗小平,郑畅达,戴江南,江风益.退火温度对ZnO薄膜结构和发光性能的影响[J].半导体学报,2005(03):498-501.

[42]周鹏,王立,方文卿,蒲勇,戴江南,江风益.常压MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性能[J].半导体学报,2005(03):502-507.

[43]戴江南,王立,方文卿,蒲勇,江风益.ZnO/GaN/Al_2O_3的X射线双晶衍射研究[J].功能材料与器件学报,2004(04):427-431.

[44]熊传兵,方文卿,蒲勇,戴江南,王立,莫春兰,江风益.衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响[J].半导体学报,2004(12):1628-1633.

[45]王立,莫春兰,熊传兵,蒲勇,陈玉凤,彭绍琴,江风益.常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质[J].发光学报,2004(04):393-395+473.

[46]李述体,江风益,范广涵,王立,莫春兰,方文卿.In_xGa_(1-x)N薄膜的弯曲因子及斯托克斯移动研究[J].光学学报,2004(06):751-755.

[47]李述体,江风益,范广涵,王立,莫春兰,方文卿.未掺杂GaN外延膜的结晶特性与蓝带发光关系的研究[J].量子电子学报,2004(03):366-370.

[48]李述体,江风益,范广涵,王立,莫春兰,方文卿.MOCVD生长GaN的表面形貌及缺陷研究[J].华南师范大学学报(自然科学版),2004(02):63-66.

[49]管志斌,王立,江风益,叶建青.两步镀膜Ti/Al/Ti/Au的n型GaN欧姆接触研究[J].功能材料与器件学报,2003(03):347-350.

[50]万凌云 ,莫春兰 ,彭学新 ,熊传兵 ,王立 ,江风益.MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究[J].发光学报,2002(04):352-356.

[51]莫春兰,李鹏,王立,熊传兵,彭学新,辛勇,姚冬敏,李述体,江风益.气流混合对生长GaN∶Si膜性能影响的研究[J].光学学报,2002(02):181-185.

[52]江风益,李述体,王立,彭学新,熊传兵.金属有机化学汽相沉积生长InGaN薄膜的研究[J].光学学报,2001(12):1463-1466.

[53]王立,李述体,江风益,余淑娴.GaN基发光材料[J].化学教育,2001(10):3-6.

[54]王立,李述体,彭学新,熊传兵,李鹏,江凤益.有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究[J].发光学报,2001(03):213-217.

[55]江风益,姚冬敏,莫春兰,王立,李鹏,熊传兵,彭学新.化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响[J].半导体学报,2001(06):746-750.

[56]李述体,江风益,彭学新,王立,熊传兵,李鹏,莫春兰.MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光[J].半导体学报,2001(05):604-608.

[57]莫春兰,彭学新,熊传兵,王立,李鹏,姚冬敏,辛勇,江凤益.使用TEGa和TMGa为镓源MOCVD生长GaN的研究[J].发光学报,2001(01):75-79.

[58]熊传兵,姚冬敏,彭学新,王立,江风益.GaN中一种新受主的发光性能研究[J].南昌大学学报(工科版),2001(01):5-8.

[59]江风益,熊传兵,彭学新,王立,李述体,姚冬敏,莫春兰,李鹏,周毛兴,周力,吴蔚登,刘和初.新型紫外光源研制成功[J].材料导报,2001(02):30-31.

[60]李述体,莫春兰,李鹏,王立,熊传兵,彭学新,江风益.掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响[J].功能材料与器件学报,2000(04):385-387.

[61]姚冬敏,王立,熊传兵,彭学新,江风益.GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究[J].发光学报,2000(02):109-114.

[62]江风益,李述体,王立,熊传兵,彭学新,辛勇,姚冬敏.MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究[J].发光学报,2000(02):120-124.

[63]姚冬敏,辛勇,王立,李述体,熊传兵,彭学新,刘念华,江风益.GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱[J].半导体学报,2000(05):437-440.

[64]李述体,王立,彭学新,熊传兵,姚冬敏,辛勇,江风益.MOCVD生长P型GaN的掺Mg量的研究[J].半导体学报,2000(04):365-368.

[65]李述体,王立,辛勇,彭学新,熊传兵,姚冬敏,江风益.MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究[J].发光学报,2000(01):29-32.

[66]辛勇,熊传兵,彭学新,姚冬敏,李述体,江风益.MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究[J].发光学报,2000(01):33-37.

发表中文会议论文：

[1]王立; 向菲菲; 冷新丽; 王仲平; 刘小青. 表面辅助的环化反应形成的超分子结构[C]. 中国化学会.中国化学会第30届学术年会摘要集-第一分会：表面物理化学.中国化学会:中国化学会,2016:139.

[2]向菲菲;李超;王仲平;刘小青;蒋丹凤;冷新丽;王立. 扫描隧道显微镜研究在金(111)表面上铜诱导的卟啉金属化过程[C]. 中国化学会.中国化学会第29届学术年会摘要集——第01分会：表面物理化学.中国化学会:中国化学会,2014:129.

[3]李超;向菲菲;王仲平;刘小青;蒋丹凤;王立. 通过扫描隧道显微镜对单个二氯酞菁锡分子在铜(100)表面的室温操纵[C]. 中国化学会.中国化学会第29届学术年会摘要集——第01分会：表面物理化学.中国化学会:中国化学会,2014:130.

[4]王立;莫春兰;熊传兵;汤英文;刘军林;方文卿;王小兰;刘卫华;周印华;江风益. Si衬底InGaN大功率LED芯片制备[C]. 中国光学光电子行业协会光电器件分会.第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集.中国光学光电子行业协会光电器件分会:《半导体技术》编辑部,2010:49-51+77.

荣誉奖励：

1．2008年入选江西省百千万人才工程。

2．2009年获江西省高等学校科技成果一等奖。

3．2011年入选“十大井冈之子”候选人。

4．2011年入选江西省首批“赣鄱英才555工程”。

5．2011年入选教育部“新世纪优秀人才支持计划”。

6．2011年入选江西省高校中青年学科带头人。

7．2011年，江西省青年五四奖章。。

8．2014年，获国家级教学成果奖二等奖。

9．2015年，中组部“西部之光”优秀访问学者。

10．2016年，江西省科技创新人才。

11．江西省优秀硕士论文指导教师（2013年、2015年和2016年）。

媒体报道一：

让勤奋的脚步踩在坚实的大地上———访南昌大学高等研究院研究员王立教授

初见王立教授，他给我们的印象是年轻而严谨的，一直忙碌于手头的工作，直到我们采访之前，他还在处理事务。作为南昌大学高等研究院的研究员，他每周仅有星期天一天是在学校以外的地方度过的，而他在学校，大部分又泡在了实验室。“我喜欢待在实验室，在那里，我可以看别人做实验，和大家一起交流心得；也可以自己动手做实验，解决问题。对于搞科研的人来说，实验室是搞研究的风水宝地。”王立教授在谈到实验室时，语速加快的同时音量也提高了不少。

当工作已经成了一种习惯，勤奋也就成了一件快乐的事情，在王立教授的世界里，工作是主打曲，很少出游，很少逛街，就是有机会出差，也是一心扑在工作上。“我其实到过不少国家，但是每次都是以工作为主，即使在工作之余也鲜有出去观光的心思。这跟我的性格有关系，我本身是个喜欢静的人，和我的工作相得益彰，所以觉得工作是一件再自然不过的事情。”王立教授坦言他就连身上穿的衣服也一直都是太太买的，来南昌将近两年，只去过一次步行街。

“热爱是工作永久的动力。”王立教授这样谈自己的工作态度。在有些人看来，工作只是支撑生存的必要条件而已，而王立教授却认为工作其实是可以当做兴趣来对待，热爱工作才会想方设法去做好，永不厌倦地去努力，到最后有所收获便是水到渠成的事情。

这种态度也跟王立教授的经历有关。在英国留学的时候，他发现那里的人们对自身的工作极其热爱，即使是售货员也会每天用发自肺腑的微笑面对顾客。而令他记忆最深刻的还是他的导师Moriarty教授，一个每天只睡5个小时的孜孜不倦的爱尔兰人。因为热爱，所以勤恳。

在非工作时间，王立教授也不乏活跃的一面。他喜欢足球，上大学时还是系足球队的成员，现在虽然不踢了，还是会关注英超和冠军杯。而为了保持良好的体力，他现在也会经常打羽毛球。王立教授还很喜欢阅读英国中世纪的历史人物故事，在谈到建筑时，他兴致勃勃地讲了自己对于英国中世纪建筑风格的所见所感。可是三句话不离本行，王立教授最后还是将话题转到工作和科研上来。

在谈到为什么会来南昌大学任教时，王立教授坦言完全是因为南昌大学高等研究院成立的机缘。作为高等研究院第一个从国外引进的研究员，除了感受到研究院完备的硬件设施所带来的便利之外，王立教授更多的是被其良好的学术氛围所吸引。他说：“在高等研究院工作，没有压迫感，学术回归到本身自由恬淡的状态，我可以做自己感兴趣的研究。”也正是因为高等研究院这种宽松自由的学术氛围，使得王立教授做起科研来心无旁骛。

“天道酬勤”是王立教授的人生信条。“我认为人与人之间没有智商上的太多差别，所取得的成就不同，主要是后天努力度的差异造成的。”王立教授强调。当面临挫折时，他也是以这种务实精神来坦然面对的。在他看来挫折是因外界不可控制的因素所造成的障碍，既然是不可控制的，那么干脆想开点，在做好自己能胜任的事情的同时往前看。这种达观的态度看似朴素，但要付诸实践却是件不简单的事。在他印象中，他并不觉得自己受过太大挫折，自己能胜任的已经做到或正在做，不能控制的就干脆放开或释然，这样遗憾就很少了。做科研也是一样，若是遇到解决不了的难题，原因若是在自己，他会总结教训再接再厉，若是自己所不能控制的，那就调整方向。

虽然王立教授加盟南昌大学高等研究院只有两年的时间，但是他已经在交叉学科方面迈出了坚实的步伐。专注物理的他和在化学领域取得成就的刘小明教授等合作开展了表面观测的项目。由他和刘小明教授共同管理的高等研究院“微纳米科学与技术实验室”于2008年被批准为江西省高等学校重点实验室。另外，他还获得了国家自然科学基金的资助，这既是对王立教授取得的成果的肯定，同样也是对他科研的促进。

作为一个年轻的物理系教授，王立面对已经取得的成绩并没有满足。他说：“我这一路走来，虽然没有取得什么突出成果，积累也不深厚，不过亦不是碌碌无为，我还很年轻，科研工作才刚刚起步，需要做的还很多，希望通过自己的努力在自己的科研领域做的更好。”

中午的十一点多，我们采访结束了，而王立教授又匆匆赶往实验室。“我带的研究生相关基础需要再加强一下，所以要花多的时间去指导。”王立教授解释道。勤奋、务实、热爱工作，这是我们所看到的王立教授，踏实，勤奋，不张扬，只言自己所知之言，只做自己所能之事，只求自己可求之愿，像脚步踩在大地上那般沉稳踏实，每一步都充满一往无前的力量。 （照片由受访者提供）王立教授简介：王立，男，1975年出生于九江彭泽，现为南昌大学物理系教授和高等研究院研究员，曾先后在南京大学、英国诺丁汉大学获得理学博士学位，并曾在新加坡国立大学担任研究员。在 Journal of the AmericanChemical Society, Nano Letters, Applied Physics Letters,Journal of Physical Chemistry B, Physical Review B,Surface Science等国际著名 SCI检索期刊上共发表论文 45篇，其中第一作者论文 17篇。2008年受邀为表面科学领域的顶级杂志 Surface ScienceReports撰写了综述性学术论文，2008年入选江西省百千万人才工程。

文章来源：《南昌大学校报》2009年6月5日

媒体报道二：

驰骋在前沿领域的科技工作者——王立

王立，男，汉族，1975年2月出生，教授，博士生导师。1996年毕业于南京大学物理系，获学士学位；2000年获得南京大学固态电子学与微电子学专业理学博士学位；2005年获得英国诺丁汉大学纳米科学专业理学博士学位；2005至2007年在新加坡国立大学物理系从事有机分子－金属界面特性、有机分子的表面自主装、生物分子与衬底相互作用研究；2007年8月至今在南昌大学物理系任教并同时担任南昌大学高等研究院研究员。

在攀登科技高峰的过程中，他刻苦钻研，锐意进取，把握分子器件发展的脉搏，在相关领域取得了突出成就，在国际著名学术刊物上发表学术论文50余篇，主持了多项国家级、省部级项目，为提升我省在前沿科学领域的实力，赶超国际先进水平作出了突出贡献。

所获主要荣誉

※ 2008年入选江西省百千万人才工程

※ 2009年度江西省高等学校科技成果奖一等奖

※ 2011年入选江西省首批“赣鄱英才555工程”

为祖国的科研事业孜孜不倦

王立出生在江西九江。1992年，他以优异成绩考取南京大学半导体专业。2000年，年仅25岁的王立获得南京大学固态电子学与微电子学专业理学博士理学博士，毕业后留校任教一年。在南京大学的本科、硕士和博士学位攻读期间，他取得了优异的研究成果，多次获得奖学金奖励，获得了“优秀毕业生”和“优秀研究生”称号，为了准确把握科技发展的脉搏，积攒更多的知识储备，更好的为党和国家的科研事业服务，2002年他在英国工程与物理研究委员会的全额资助下，在英国诺丁汉大学物理与天文系攻读第二个博士学位，系统学习了各种微纳米科学研究手段。严格、丰富而又充实的学习、科研经历使王立具备了深厚的理论功底和技术手段，成为一位具有敏锐洞察力，严谨务实的科研工作者。

2007年，怀揣着为党和国家的科学事业而奋斗终身的远大理想，怀揣着对家乡科研事业添砖加瓦的信念，32岁的王立拒绝了国外多所知名大学的邀请，回到了自己的祖国，来到了南昌大学。在校领导的关心和大力支持下，他建立了我省第一个表面科学研究平台。高度的责任感，强烈的事业心，严谨求实的科学态度，使王立在纳米科学领域取得了一系列突破性的创新成果。王立还凝聚了一支创新能力强、勤奋敬业、结构合理的研究团队，承担着3项国家自然科学基金项目和3项省部级项目的研究。一系列优异的科研成果的取得使王立受到了行业内外的众多关注，国内多家知名媒体对其进行了专访报道，2010年《科学时报》对王立做了专访，并刊登了《有了热爱，还要有坚持》专访报道。2011年《江西晨报》将他列为“江西省十大海归人才”，进行了整版报道。

在科学前沿领域创新

王立长期从事分子自组装和分子-金属界面的基础和应用研究工作，发表SCI索引学术论文53篇，被引用达360余次，得到了国内外同行的广泛认可。因在超快界面电荷转移方面的突出研究成果，2008 年受邀为国际顶级杂志《表面科学报告》（影响因子13.462）撰写综述性论文，介绍相关领域的最新进展以及自身所取得的科研成果，这是该杂志刊载的第一作者为中国地区科研人员的第二篇论文。

2010年，王立研究组在手性结构制备和调控方面的研究成果被英国皇家化学学会出版的国际著名SCI 杂志《物理化学化学物理学》（影响因子4.12）刊登并被评选为封面论文，是该杂志首次以封面文章形式报道江西省的科研成果。而王立研究组刊登在应用物理领域国际上最有影响杂志《应用物理快报》（影响因子3.726）上的关于硅表面单分子吸附行为的成果，被美国物理联合会作为纳米领域的研究亮点向全球推荐，这也是江西省的研究成果首次以该形式被报道。首次在实验上实现了分子取向调控的超快界面转移过程，该成果被国际顶级杂志《先进材料》2009 年的进展报告评为制备单分子双稳开关器件的新途径；首次发现了共轭大分子与金属之间的转移时间小于4飞秒（1飞秒为10-15 秒）的超快电荷转移过程的存在，证实界面特性对分子-金属界面之间的电荷输运过程起着至关重要的影响；首次制备了分子构型所诱导的新型超分子表面自组织结构，揭示了分子间作用力对分子构型的依赖，并提出了一种制备自组织结构的新途径。

这些创新性研究成果具有重要的科学意义，不仅加深了对有机分子自组装机制和分子-金属界面电学输运的理解，为新型分子器件的研制和分子-电极性能的改善提供了理论基础，而且有助于我国开发具有自主知识产权、在国际上领先的新型纳米电学器件、高效太阳能转换器件和有机薄膜器件。

在高新技术领域开疆扩土

未来世界的竞争是科学技术的竞争。瞄准技术前沿，以科技兴国为己任，王立教授不仅仅将科研事业局限在基础实验研究领域，还将科研事业拓展到高新技术领域。石墨烯是由单层的碳原子紧密排列成二维的蜂巢状六角格子的新材料，具有各种独特的力、热、光、电特性，被誉为下一代电子元器件的基石材料。王立课题组自行设计和组装了石墨烯制备装置，将塑料等白色污染物转换为超大面积、电、光学性能的参数达到国际先进水平的石墨烯，摸索出了在常压下工业化生产和转移石墨烯的核心技术，申请国家专利5项，填补了我国在该领域的空白。王立课题组开发的系列技术不仅可解决日益严重的白色污染，而且可实现变废为宝，为我国在国际上占领技术至高点、提升民族产业在国际上的竞争力具有重要的战略意义。

扬帆远航，为科研教育事业奋斗终身

一路走来，王立的足迹看似寻常却并不寻常。他获得了荣誉和掌声，付出的是超乎常人想象的汗水与艰辛。他对获奖感到欣喜，却没有沉醉于台下的掌声，那些过去的成就只是鼓励自己做得更好。而多年来，在科研路上遇到过大大小小的挫折，才是造就这位杰出科研人员创出佳绩的重要元素。

“天道酬勤”，这样一句简单的话背后，是王立数十年来在科研及人生道路上的执着信念。王立在工作中是典型的“工作狂”。每周他只有1到2天在家吃晚饭，几乎每天都要工作到深夜。在有些人看来，工作只是支撑生存的必要条件，而王立却将工作当做兴趣，当做责任。王立的学生说，直到晚上12点，都能看到他在网络电话中在线，有什么问题，他都能及时进行解答。王立的字典里好像没有“休息”两个字，从周一到周日，他每天到实验室对实验室的科研情况进行指导，很多时候为了给学生做示范，他还会自己动手去做实验，分析实验结果。哪怕是在国外开会期间，他也会与学生视频通话。王立科研态度严谨，对于学生的每一个试验计划都亲自审查，总是能提出一些建设性的意见。对于每个学生试验结果的总结总是能洞察到不足之处和下一步研究的方向，在他们的科研道路上执起一盏明灯。

王立为事业奉献着全部心血和智慧，他对科学事业的执着追求，是建立在献身祖国科学事业的远大理想执着追求之上的。他深深懂得人生价值的显现，靠的不是天的恩赐、地的赏识、巧的机遇，而是靠的是持久的耐力，敏锐的洞察力，活跃的思维，超强的动手能力，更重要的是勤奋。

目前王立正忙于相关课题的研究，他深知自己肩上担子的份量，十分清楚这些研究课题对于提升国家科研实力的重要性。一个民族，一个国家，要存在，要发展，要振兴，不能没有科技；当今社会科技是支撑民族大厦的脊梁。他清醒地认识到我国科学事业的发展还需要不断地攻坚破难。

“路漫漫其修远兮”，在困难前面，他又扬起了风帆，驶向梦的彼岸。这就是王立，一名优秀青年科研工作者的追求。

文章来源：《大江网》

媒体报道三：

“有了热爱，还要有坚持”——记南昌大学高等研究院研究员王立博士

单一手性分子的分离和提纯具有巨大的经济价值和广阔的市场需求。左旋和右旋的手性分子具有相同的质量、元素组成和化学键合形式，常规物理、化学方法难以实现单一手性分子的高效分离。

南昌大学物理系教授、高等研究院研究员王立博士带领的研究团队首次成功利用无手性分子构筑了双层超分子手性结构，并实现了结构手性的自下而上传递，为手性分子模板的制备、手性催化、手性药物分离开辟了新思路。2010年12月，国际学术期刊Physical Chemistry Chemical Physics（PCCP）以封面文章刊登了该项研究成果。

近日，《科学时报》记者来到南昌大学，专访了王立。

王立出生在江西九江。1992年，他以优异成绩考取南京大学半导体专业。2000年，年仅25岁的王立获得南京大学微电子学与固体电子学理学博士，毕业后留校任教一年。2002年获得英国工程与物理科学研究会全额奖学金资助，赴英国诺丁汉大学物理系攻读第二博士学位，系统学习了表面物理学知识。毕业后，任职于新加坡国立大学。

2007年，南昌大学成立高等研究院，向海内外广发“英雄帖”，招揽优秀人才。

得知家乡高校求贤若渴，王立决定回到家乡工作。在南昌大学，王立主要从事分子器件的制备和机理，有机分子/金属界面相互作用，生物分子的结构及其物理性能等方面的研究。他与团队成员紧密合作，一批批科研成果相继诞生。

目前，王立主持多项国家自然科学基金、教育部归国留学人员基金、江西省自然科学基金项目，在《美国化学会志》（Journal of the American Chemical Society）、《纳米快报》（Nano Letters）、《应用物理快报》（Applied Physics Letters）、《物理化学B》（Journal of Physical Chemistry B）、《物理评论B》（Physical Review B）、《表面科学》（Surface Science）等国际学术期刊上发表论文54篇。2008年，王立入选江西省百千万人才工程。

自2005年开始，王立对超快界面电荷转移的动态过程进行了系统研究，成功证实了分子/金属界面的电荷转移特性强烈依赖于分子与金属之间的杂化，并从实验上观察到发生在飞秒（10-15秒）时间尺度的由分子取向所决定的超快电荷转移过程，为新型分子开关器件的研制奠定了重要理论基础。国际学术刊物J. Am. Soc. Chem.、J. Phy. Chem. B、Appl. Phys. Lett.等对其研究成果进行了刊载。

鉴于在此研究方向上的突出贡献，2008年，王立受邀为国际学术期刊《表面科学报告》（Surface Science Reports）撰写综述性论文。据了解，这是该杂志刊载的第一作者为中国地区科研人员的第二篇论文。

在南昌大学高等研究院实验室，《科学时报》记者见到了王立的几位学生。他们说，经常看到王老师一个人在实验室工作到很晚，休息日也很少回家。

在有些人看来，工作只是支撑生存的必要条件，而王立却将工作当做兴趣，当做责任。

“有了热爱，还要有坚持。一旦从事了这份事业，就要有一份责任和担当。”他说，“科研领域的魅力在于发掘和探索。我的工作才刚刚起步，需要做的还很多，现在的积累还不够深厚，希望通过努力能在科研领域走得更远。”

王立，1996年获得南京大学理学学士学位，2000年12月提前获得南京大学理学博士学位。2005年获英国诺丁汉大学纳米科学专业博士学位。2005年受聘于新加坡国立大学物理系，从事分子器件的基础研究，研究重点是分子—金属之间的超快电荷转移过程和机制。2007年由南昌大学作为高级引进人才从海外引进，以校聘教授资格进入南昌大学物理系工作，并被聘为南昌大学高等研究院研究员，同时学校给予巨额资助购买超高真空扫描隧道显微镜组建介观物理及技术实验室。现主持国家自然科学基金项目3项，省部级项目2项。2008年入选江西省百千万人才工程，2009年获得江西省高等学校科技成果奖一等奖。

文章来源：《科学时报》2011-2-23