科学研究：

研究方向：

主要从事化合物半导体材料、磁性半导体材料，以及微重力环境半导体材料的制备及性质研究。

承担科研项目情况：

1． “973”项目“系统芯片中新器件新工艺的基础研究子项目”：新型栅结构材料相关问题研究，2000-2004。

2． “973”项目“新一代化合物半导体电子器件与电路研究子项目”：新型低维结构功能器件和三端逻辑功能器件，2002-2006。

3． 中科院创新项目：微重力环境半导体材料生长，2003-2005。

4． 自然科学基金项目：稀磁半导体(Ga, Mn)As研究，2002-2004。

5． “863”重点项目：兆瓦级高倍聚光化合物太阳电池产业化关键技术。

科研成果：

研制成功具有室温铁磁性的稀磁半导体GaMnSb和GaMnN薄膜；创建了非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法，及显示砷化镓单晶缺陷的超声腐蚀方法；系统研究了半绝缘砷化镓单晶的化学配比与生长工艺之间的关系，为改善砷化镓单晶的化学配比，提高单晶质量提供了可靠依据；对太空生长的半绝缘砷化镓单晶进行了材料性能研究，及微波器件应用研究；揭示了砷化镓单晶化学配比对单晶均匀性、完整性、生长重复性和应用通用性的重要影响。

1． 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比研究 陈诺夫; 林兰英; 王玉田; 何宏家; 钟兴儒 【科技成果】中国科学院半导体研究所 1997-03-01

2． 空间生长半绝缘砷化镓单晶及其应用研究 林兰英; 陈诺夫; 钟兴儒; 张绵 【科技成果】中国科学院半导体研究所 1999-12-12

3． 微重力科学若干重大基础性的交叉学科研究 胡文瑞; 聂玉昕; 王大成; 陶祖莱; 金蔚青; 汤章城; 刘秋生; 陈万春; 张元仲; 王育竹; 罗俊; 唐泽眉; 李根培; 刘承宪; 陈诺夫; 段俐; 解京昌; 李和娣 【科技成果】中国科学院力学研究所; 中科院物理所; 中科院生生物理所; 中科院半导体所; 中科院理论物理所; 中科院上海光机所; 华中理工大学 2001-11-01

发明专利：

1． 在SrTiO₃衬底上调控多铁铁酸铋外延薄膜带隙的方法 付振; 尹志岗; 陈诺夫; 张兴旺; 吴金良; 张汉 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2012-10-10

2． 一种制备薄膜材料的方法 俞育德; 李运涛; 余金中; 陈诺夫; 俞海龙 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2011-03-23

3． Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 杨晓丽; 陈诺夫; 尹志岗 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2010-07-21

4． 单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法 王彦硕; 陈诺夫; 白一鸣; 黄添懋; 陈晓峰; 张汉 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2010-08-25

5． 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法 陈晓锋; 陈诺夫; 吴金良; 张秀兰; 柴春林; 俞育德 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2010-10-13

6． 制备有序Al纳米颗粒的方法 游经碧; 张兴旺; 高云; 董敬敬; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2010-10-27

7． Mg-Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-08-22

8． 带导光筒的太阳能电池聚光装置 陈诺夫; 白一鸣; 黄添懋 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-10-31

9． 制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法 戴瑞烜; 陈诺夫; 彭长涛; 王鹏 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-12-19

10． 双轨道太阳同步跟踪装置 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙; 董毅 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2008-02-27

11． 一种制备六角有序FePt纳米颗粒阵列的方法 屈盛; 张兴旺; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2008-03-26

12． 聚光太阳电池单元 陈诺夫; 黄添懋; 王晓晖; 陈晨龙; 吴金良; 董毅 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2008-06-04

13． 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 陈诺夫; 林兰英; 王玉田; 何宏家; 钟兴儒 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2000-07-19

14． 磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 陈诺夫; 杨君玲; 何宏家; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2002-05-01

15． 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2003-03-12

16． 组份渐变铁磁性半导体制备方法 陈诺夫; 张富强; 杨君玲; 刘志凯; 杨少延 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2003-06-04

17． 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 周剑平; 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2003-10-29

18． 磁控溅射靶的制造方法及该方法使用的模具 尹志岗; 杨霏; 陈诺夫; 吴金良; 柴春林 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2005-01-26

19． 多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 张富强; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2005-02-23

20． 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2005-03-09

21． 磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺 陈诺夫; 杨霏; 尹志岗; 柴春林; 吴金良 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2005-03-16

22． 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2005-11-16

23． 在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法 陈诺夫; 杨霏 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-01-11

24． 单相钆硅化合物以及制备方法 李艳丽; 陈诺夫; 杨少延; 刘志凯 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-05-10

25． 磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-05-17

26． 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-05-31

27． 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-05-31

28． 一种制备三元高K栅介质材料的方法 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-05-31

29． 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-06-07

30． 集成太阳电池的制备方法 陈诺夫; 白一鸣; 王晓晖; 陆大成 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-06-14

31． 制备稀磁半导体Ga1-xMnxSb单晶的方法 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-06-21

32． 一种制备金属铪薄膜材料的方法 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-07-05

33． 一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 周建平; 陈诺夫; 王占国 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-07-05

34． 一种制备金属锆薄膜材料的方法 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-07-05

35． 在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法 杨霏; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-08-30

36． 聚光太阳电池的制作方法 陈诺夫; 白一鸣; 王晓晖; 梁平; 陆大成 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-08-30

37． 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-11-22

38． 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 柴春林 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2006-12-27

39． 砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 陈诺夫; 白一鸣; 梁平; 王晓晖 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-01-31

40． 一种考夫曼离子源中的中和阴极灯丝及其方法 张兴旺; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-02-21

41． 一种在立方氮化硼薄膜上制备良好欧姆接触的方法 张兴旺; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-02-21

42． 具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞烜; 王鹏; 王晓东 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-04-04

43． n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-04-04

44． 聚光太阳能电池的跟踪太阳装置及其方法 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-04-25

45． 磁控溅射仪衬底固定夹具 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-05-02

46． 一种太阳同步跟踪装置及其设计方法 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2007-06-27

47． 下开平动式直拉单晶炉 钟兴儒; 田金法; 吴金良; 林兰英; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所; 中国科学院力学研究所 2000-03-29

48． 液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 钟兴儒; 徐自亮; 田金法; 吴金良; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院力学研究所; 中国科学院半导体研究所 2000-09-20

49． 一种组合式聚光器 陈诺夫; 崔敏; 王彦硕; 白一鸣; 吴金良; 黄添懋 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2008-12-10

50． 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘磊 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2009-06-24

51． 单光路量子效率测试系统 刘磊; 陈诺夫; 曾湘波; 张汉; 吴金良; 高福宝 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2009-04-01

52． 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 张兴旺; 范亚明; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2009-05-27

53． 一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法 张兴旺; 游经碧; 范亚明; 屈盛; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2009-05-27

54． 检测嵌段共聚物胶束溶液负载金属盐能力的方法 高云; 屈盛; 张兴旺; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2009-12-23

55． 制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法 张兴旺; 高云; 屈盛; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2009-12-23

56． 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 范亚明; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2010-03-17

57． 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 张兴旺; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高云; 陈诺夫 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2010-03-31

58． 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2010-06-16

59． 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2010-05-19

60． 用于高倍聚光太阳电池系统的软键合方法 崔敏; 陈诺夫; 王彦硕; 白一鸣 【中国专利】中国科学院半导体研究所 2010-01-20

论文专著：

在Physical Review B和Applied Physics Letters等学术刊物上发表论文100余篇。

出版专著：

资料更新中……

发表英文论文：

1． NuoFu Chen, Ultrasonic etching of GaAs in CrO3-HF aqueous solutions, J. Cryst. Growth, 129 (4), 777 (1993).

2． NuoFu Chen, Xiulan Zhang, Yiwen Deng, Degradation related defects in AlGaAs/GaAs visible lasers, J. Cryst. Growth, 148 (2), 219 (1995).

3． N. F. Chen, Y. Wang, H. He, L. Lin, Effects of point defects on lattice parameters of semiconductors, Phys. Rev. B54 (12), 8516 (1996).

4． N. F. Chen, Y. Wang, H. He, L. Lin, Excess arsenic in GaAs grown at low temperatures by molecular beam epitaxy, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (10A), L1238 (1996).

5． N. F. Chen, Y. Wang, H. He, L. Lin, O. Oda, Nondestructive measurements of stoichiometry in undoped semi-insulating gallium arsenide, Appl. Phys. Lett. 69 (25), 3890 (1996).

6． NuoFu Chen, Xingru Zhong, Lanying Lin, Xie Xie, Mian Zhang, 2000, Semi-insulating GaAs grown in outer space, Materials Scienceand Engineering B75, 134-138 (2000).

7． NuoFu Chen, Point Defects in III-V Compound Semiconductors，Defect and Diffusion Forum, 183-185, 85-94 (2000).

8． NuoFu Chen, X. R. Zhong, L. Y. Lin, M. Zhang, Y. Wang, X. Bai, J. Zhao, Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates, Appl. Phys. Lett. 78(4), 478 (2001).

9． Chen Nuofu, Zhang Fuqiang, Yang Junling, Liu Zhikai, Yang Shaoyan, Chai Chunlin, Wang Zhanguo, Hu Wenrui, Lin Lanying, Room-temperature ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb, Chinese Science Bulletin, 48(6), 516-518 (2003).

发表中文论文：

1 空间材料科学研究发展趋势 陈诺夫 中国科学院半导体研究所 【中国会议】中国空间科学学会第七次学术年会会议手册及文集 2009-08-27

2 掺Ce:BSO单晶的空间生长研究 周燕飞; 王锦昌; 唐连安; 陈诺夫; 陈万春 中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院物理研究所 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30

3 离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究 宋书林; 陈诺夫; 尹志岗; 柴春林; 杨少延; 刘志凯 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室 【中国会议】第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ 2004-09-01

4 室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究 刘志凯; 宋书林; 陈诺夫; 尹志岗; 柴春林; 杨少延 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室 【中国会议】第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ 2004-09-01

5 Mn注入n型Ge单晶的磁性研究 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 周剑平 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 【中国会议】第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ 2004-09-01

6 离子束外延技术与新材料研究 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 【中国会议】2005年中国固体科学与新材料学术研讨会专辑 2005-03-01

7 胶束法制备有序金属纳米颗粒阵列 张兴旺; 屈盛; 陈诺夫 中国科学院半导体研究所材料与器件重点实验室; 中国科学院半导体研究所材料与器件重点实验室 【中国会议】2006年全国功能材料学术年会专辑 2006-07-01

8 稀土功能薄膜材料的离子束外延法制备生长研究 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 周建平; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 【中国会议】第五届全国稀土发光材料学术研讨会论文摘要集 2005-06-30

9 高效率GaAsP/AlGaAs张应变量子阱激光二极管 白一鸣; 王俊; 陈诺夫 华北电力大学新能源与可再生能源北京市重点实验室; 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心; 中国科学院半导体研究所材料重点实验室 【期刊】微纳电子技术 2011-03-15

10 高压GaAs微型太阳电池阵列的制备 白一鸣; 陈诺夫; 王彦硕; 王俊; 黄添懋; 汪宇; 张兴旺; 尹志刚; 张汉; 吴金良; 姚建曦 华北电力大学新能源与可再生能源北京市重点实验室; 中国科学院半导体研究所材料重点实验室; 中国科学院光电子器件国家工程中心 【期刊】微纳电子技术 2011-04-15

11 GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性 刘磊; 陈诺夫; 汪宇; 白一鸣; 崔敏; 高福宝 河北大学电子信息工程学院; 中国科学院半导体研究所; 半导体材料科学重点实验室 【期刊】科学通报 2009-01-08

12 石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 汪宇; 张汉; 应杰 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 华北电力大学可再生能源学院; 浙江大学硅材料国家重点实验室 【期刊】微纳电子技术 2010-09-15

13 铝诱导结晶法制备高度(111)择优取向多晶硅薄膜及成核分析 黄添懋; 陈诺夫; 张兴旺; 白一鸣; 尹志岗; 施辉伟; 张汉; 汪宇; 王彦硕; 杨晓丽 中国科学院半导体研究所; 半导体材料科学重点实验室; 华北电力大学可再生能源学院; 浙江大学硅材料国家重点实验室 【期刊】中国科学:技术科学 2010-11-20

14 色散效应对GaAs太阳电池双层减反射膜的影响 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞烜; 王鹏; 彭长涛 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 【期刊】半导体学报 2006-04-30

15 由纳米棒和纳米叶组成的铁磁性的MnSb薄膜(英文) 戴瑞烜; 陈诺夫; 张兴旺; 彭长涛; 吴金良 中国科学院半导体研究所材料重点实验室; 中国科学院半导体研究所材料重点实验室; 中国科学院半导体研究所材料重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 【期刊】半导体学报 2007-05-15

16 立方氮化硼薄膜制备与性质研究新进展 张兴旺; 游经碧; 陈诺夫 中国科学院 半导体研究所半导体材料重点实验室; 中国科学院 半导体研究所半导体材料重点实验室 北京 【期刊】无机材料学报 2007-05-15

17 掺Sn的In₂O₃透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响 陈瑶; 周玉琴; 张群芳; 朱美芳; 刘丰珍; 刘金龙; 陈诺夫 中国科学院研究生院物理科学学院; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 【期刊】半导体学报 2007-06-15

18 折射率色散效应对晶体硅太阳电池反射率的影响 白一鸣; 陈诺夫; 彭长涛; 梁平 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 【期刊】光子学报 2007-07-15

19 聚光光伏系统 陈诺夫; 白一鸣 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室北京 【期刊】物理 2007-11-12

20 微重力环境材料科学实验 陈诺夫 中国科学院半导体研究所 半导体材料重点实验室; 中国科学院力学研究所; 国家微重力实验室 【期刊】自然杂志 2007-12-15

21 液相外延法制备0.55eV-GaInAsSb四元合金薄膜及其在热光伏器件中的应用(英文) 刘磊; 陈诺夫; 杨晓丽; 汪宇; 高福宝 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 【期刊】半导体学报 2008-07-15

22 铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长 彭长涛; 陈诺夫; 张富强; 林兰英 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京; 北京科技大学材料科学与工程学院; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 【期刊】半导体学报 2003-05-08

23 近空间升华沉积CdTe薄膜的微结构和PL谱 武莉莉; 冯良桓; 蔡伟; 张静全; 蔡亚平; 郑家贵; 朱居木; 陈诺夫 四川大学材料科学系; 中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室 成都 【期刊】半导体学报 2003-08-08

24 CeO₂/Si薄膜的紫/蓝光跃迁 柴春林; 杨少延; 刘志凯; 廖梅勇; 陈诺夫 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 【期刊】科学通报 2003-04-30

25 Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究 周剑平; 陈诺夫; 宋书林; 柴春林; 杨少延; 刘志凯; 林兰英 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京 【期刊】物理学报 2003-06-12

26 离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 柴春林; 杨少延; 刘志凯 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室 北京 【期刊】真空科学与技术 2003-10-30

27 稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究 杨少延; 柴春林; 周剑平; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 【期刊】中国稀土学报 2005-10-30

28 低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜 杨霏; 陈诺夫; 张兴旺; 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 侯哲哲; 马辉; 尹志刚 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室; 石家庄铁道学院材料科学与工程系; 北京师范大学分析测试中心; 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 北京; 中国科学院国家微重力实验室 【期刊】半导体学报 2005-12-08

29 室温铁磁性Al₂O₃∶Mn的制备及性质 张富强; 陈诺夫; 杨瑞霞; 魏怀鹏; 刘祥林; 刘志凯; 杨少延; 柴春林 中国航天时代电子公司研究院微电子部; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 河北工业大学; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 【期刊】半导体学报 2005-12-08

30 在多工位炉上CeO₂:Bi₁₂SiO₂₀单晶生长的研究(Ⅱ)——空间生长实验部分 周燕飞; 王锦昌; 唐连安; 陈诺夫; 陈万春 中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院物理研究所 上海 【期刊】无机材料学报 2004-03-20

31 磁性半导体Gd_xSi_(1-x)的XPS研究 刘志凯; 周剑平; 柴春林; 杨少延; 宋书林; 李艳丽; 陈诺夫 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京 【期刊】真空科学与技术学报 2004-03-30

32 离子束外延制备GaAs:Gd薄膜 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 尹志岗; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室北京 【期刊】功能材料 2004-06-25

33 低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 【期刊】固体电子学研究与进展 2004-06-30

34 低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜 刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 【期刊】稀有金属 2004-06-30

35 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体 刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 【期刊】半导体学报 2004-08-08

36 离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜 李艳丽; 陈诺夫; 周剑平; 宋书林; 杨少延; 刘志凯 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 【期刊】半导体学报 2004-08-08

37 低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜 刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室北京 【期刊】功能材料 2004-08-25

38 低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 尹志岗; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 【期刊】半导体学报 2004-12-08

39 神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析 张富强 ; 陈诺夫 ; 吴金良 ; 钟兴儒 ; 林兰英 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 北京 【期刊】空间科学学报 2004-11-30

40 异质外延立方氮化硼薄膜的微结构研究 张兴旺; 陈诺夫; OYEN H-G; ZIEMANN P 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; Department of Solid State Physics; Ulm University; Ulm D-89069; Germany; Germany 北京 1 0 0 0 83; 北京 1 0 0 0 83 【期刊】电子显微学报 2005-02-25

41 Mn注入n型Ge单晶的特性研究 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 周剑平; 张富强 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京; 中国科学院力学研究所国家微重力实验室 【期刊】功能材料与器件学报 2005-03-25

42 太空生长半绝缘砷化镓单晶及其应用 林兰英; 张绵; 钟兴儒; 山田正良; 陈诺夫 中国科学院半导体研究所; 电子部河北半导体研究所; 中国科学院半导体研究所; DepartmentofElectronics&InformationScience; KyotoInstituteofTechnology; Japan 【期刊】中国科学E辑:技术科学 1999-10-15

43 热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响 张砚华; 范缇文; 陈延杰; 吴巨; 陈诺夫; 王占国 中国科学院半导体研究所材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所材料科学实验室; 中国科学院半导? 【期刊】功能材料与器件学报 2000-12-30

44 一种新型的超导磁场单晶炉的研制 吴金良; 钟兴儒; 陈诺夫; 田金法; 林兰英 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室国家微重力实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室国家微重力实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室国? 【期刊】功能材料与器件学报 2000-12-30

45 非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光 彭长涛; 陈诺夫; 林兰英; 柯俊 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 北京科技大学材料科学与工程学院; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 【期刊】半导体学报 2001-04-08

46 离子束外延生长半导体性锰硅化合物 杨君玲; 陈诺夫; 刘志凯; 杨少延; 柴春林; 廖梅勇; 何宏家 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验 【期刊】半导体学报 2001-11-08

47 CeO₂Si薄膜PL谱的“紫移” 柴春林; 杨少延; 刘志凯; 廖梅勇; 陈诺夫; 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验 【期刊】科学通报 2001-09-30

48 用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分 陈诺夫; 修慧欣; 杨君玲; 吴金良; 钟兴儒; 林兰英 中国科学院半导体研究所; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院半导体研究所 中国科学院半导体材料科学实验室; 中国科学院国家微重力实验室北京; 中国科学院半导体材料科学实验室 【期刊】科学通报 2001-12-30

49 离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物 杨君玲; 陈诺夫; 刘志凯; 杨少延; 柴春林; 廖梅勇; 何宏家 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实? 【期刊】稀有金属 2001-07-10

50 质量分离的双离子束沉积法生长CeO₂(111)/Si薄膜 柴春林; 杨少延; 刘志凯; 廖梅勇; 陈诺夫; 王占国 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验 【期刊】稀有金属 2001-11-10

51 热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响 杨瑞霞; 张富强; 陈诺夫 河北工业大学电信学院; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 天津 【期刊】稀有金属 2001-11-10

52 (Ga,Mn,As)/GaAs的发光谱 杨君玲; 陈诺夫; 叶小玲; 何宏家 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京; 中国国家微重力实验室 【期刊】半导体学报 2002-01-08

53 二元高k材料研究进展及制备 周剑平; 柴春林; 杨少延; 刘志凯; 张志成; 陈诺夫; 林兰英 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验 【期刊】功能材料 2002-10-25

54 电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布 张秀兰; 张富强; 宋书林; 陈诺夫; 王占国; 林兰英; 胡文瑞 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究 【期刊】科学通报 2002-09-15

55 室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延; 柴春林; 王占国; 林兰英; 杨君玲; 胡文瑞; 林兰英 中国科学院半导体研究所; 半导体材料科学重点实验室; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院力学研究所; 中国科学院力学研究所; 中国科学院国家微重力实验室 【期刊】科学通报 2002-12-30

56 低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性 陈诺夫; 何宏家; 王玉田; 林兰英 中国科学院半导体研究所; 中国科学院半导体研究所 【期刊】中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 1996-12-15

57 半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量 王玉田; 陈诺夫; 何宏家; 林兰英 中国科学院半导体研究所; 国家电子工艺中心 【期刊】半导体学报 1998-04-15

58 多孔氧化钛薄膜的溶胶-凝胶制备及其光催化性能 姚建曦; 白一鸣; 陈诺夫; 高桥雅英; 横尾俊信 华北电力大学可再生能源学院; 新能源与可再生能源北京市重点实验室; 日本京都大学化学研究所 【期刊】材料科学与工程学报 2010-10-20

荣誉奖励：

先后获天津市总工会“八五”立功奖章，享受国务院政府特殊津贴。

1． 1993年、1994年获天津市优秀教师。

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