专家信息：
1982年9月至1986年7月山东大学物理系物理学专业，理学学士。
1986年9月至1989年7月山东大学物理系凝聚态物理专业，理学硕士。
1989年9月至1992年7月山东大学晶体所凝聚态物理专业，理学博士。
1992年7月至1995年9月山东大学晶体所，讲师、副教授。
1995年10月至1997年8月德国亚堔大学半导体技术研究所，博士后。
1997年9月至1998年12月加拿大Simon Fraser大学，博士后、助研。
1999年1月至2000年1月美国超延有限公司，技术部经理。
2000年1月至今山东大学晶体所，副主任、长江学者特聘教授。
2000年至今山东浪潮华光光电子有限公司，总工程师、常务副总。
1． 国家863计划半导体照明工程总体专家组成员。
2． 国务院学位委员会委员。
3． 美国物理学会会员。
4． 山东华光光电子有限公司总工程师。
5． 中国晶体学会理事。
6． 中国青年材料委员会理事。
7． 《材料科学与工程》杂志编委。
8． 中国晶体协会理事。
9． 《人工晶体学报》专业委员。
教学情况：
“化合物半导体材料与器件”。
在读研究生8人，其中博士生5人，硕士生3人。
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主要从事化合物半导体材料（包括As, P, Sb 和 氮化物）的外延生长和器件应用，以及宽禁带半导体材料（主要是SiC材料）的生长和器件应用研究。
1． 重点实验室经费：宽禁带半导体，2010.1-2010.12。
2． 省自主创新：3英寸6H-SiC单晶生长研究，2010.1-2010.12。
3． 973项目：金属/介质纳米结构提高功率二极管量子效率的研究，2009-2013。
4． 核高基：2009ZX01001-001-02 XXX单晶衬底材料，2010-1011。
5． 科技攻关项目：Zn扩散窗口工艺制备高可靠镁掺杂AlInP包层半导体激光器。
6． 国家863计划：SiC单晶衬底制备。
7． 山东省重大专项：基于SiC衬底的GaN发光二极管材料与管芯技术。
8． 国家杰出青年基金：MOCVD生长半导体异质结构及其器件应用。
1． 高功率808nm非对称无铝应变量子阱激光器 夏伟; 徐现刚 ; 李沛旭; 张新; 汤庆敏; 李树强; 任忠祥; 张成山; 苏建; 王海卫; 单立英 【科技成果】山东华光光电子有限公司 2009-12-01
2． 超高亮度红色发光二极管外延材料及管芯制备 李树强; 任忠祥; 徐现刚 ; 张新; 夏伟; 马光宇; 赵霞焱; 张成山; 单立英; 刘长江 【科技成果】山东华光光电子有限公司 2008-12-01
3． 基于换衬底技术的超高亮度LED制备技术 任忠祥; 夏伟; 徐现刚 ; 李树强; 苏建; 张新; 张秋霞; 张成山; 陈康 【科技成果】山东浪潮华光光电子股份有限公司 2010-12-01
4． 激光显示用TM偏振大功率808nm激光器 任忠祥; 李沛旭; 夏伟; 张新; 徐现刚 ; 于果蕾; 汤庆敏; 郑铁民; 张成山; 王海卫 【科技成果】山东浪潮华光光电子股份有限公司; 长春理工大学; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 2011-09-01
5． 半导体照明用高亮度蓝光LED外延材料和管芯研制 李树强; 徐现刚 ; 任忠祥; 沈燕; 曲爽; 夏伟; 刘存志; 张成山; 冯建 【科技成果】山东华光光电子有限公司 2011-07-06
1． 一种采用铝组分渐变电子阻挡层的LED结构 王成新; 王强; 徐现刚 ; 李树强; 曲爽 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-12-12
2． 一种采用势垒高度渐变量子垒的LED结构及其制备方法 王成新; 王强; 徐现刚 ; 李树强; 曲爽 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-12-12
3． 具有汉字图形的LED芯片电极(1) 蔺福合; 沈燕; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2013-01-09
4． 具有汉字图形的LED芯片电极(2) 蔺福合; 沈燕; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2013-01-09
5． 一种提高蓝宝石衬底氮化镓外延层均匀性的方法 邵慧慧; 徐现刚 ; 曲爽; 王成新; 李树强 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2013-01-02
6． 一种蓝宝石图形衬底的制备方法 刘岩; 王德晓; 邵慧慧; 刘存志; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2013-01-09
7． 一种全固态三基色激光器芯片及其制作方法 夏伟; 苏建; 张秋霞; 任忠祥; 徐现刚 【中国专利】山东浪潮华光光电子有限公司 2013-03-06
8． 一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法 徐现刚 ; 彭燕; 胡小波; 高玉强; 宋生; 王丽焕; 魏汝省 【中国专利】山东大学 2011-12-07
9． 一种光辅助红光LED的磷化镓窗口层湿法粗化的方法 刘铎; 左致远; 王瑞军; 于谦; 冯兆斌; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2011-12-14
10． GaN基垂直结构LED中SiC衬底的剥离方法 刘晓燕; 沈燕; 徐化勇; 李树强; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-05-23
11． 提高发光效率的GaN基LED外延片及其制备与应用 曲爽; 徐现刚 ; 李毓锋; 王成新; 李树强 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-06-06
12． 刻面明亮琢型碳硅石宝石及其切磨加工方法 徐现刚 ; 田亮光; 付芬 【中国专利】山东大学 2012-07-04
13． 氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法 张洪月; 曲爽; 李树强; 王成新; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-07-04
14． 一种氮化物分布式布拉格反射镜及制备方法与应用 曲爽; 李树强; 李毓锋; 王成新; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-07-18
15． 制备及调控表面粗化的ZnO纳米锥或纳米棒阵列的方法 吴拥中; 尹正茂; 郝霄鹏; 刘晓燕; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2012-07-18
16． 一种含有图形化DBR结构的衬底 沈燕; 张木青; 王成新; 李树强; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-09-19
17． 一种三相电阻加热装置 于国建; 张雷; 郝霄鹏; 胡小波; 徐现刚 【中国专利】山东天岳先进材料科技有限公司 2012-09-19
18． 一种温场调节装置 于国建; 张雷; 郝霄鹏; 胡小波; 徐现刚 【中国专利】山东天岳先进材料科技有限公司 2012-09-12
19． 一种适用于制备高亮度LED的蓝宝石图形衬底的光刻版 张雷; 于国建; 郝霄鹏; 胡小波; 徐现刚 【中国专利】山东天岳先进材料科技有限公司 2012-09-12
20． 一种碲化锌/砷化镓异质外延层的制备方法 冀子武; 黄树来; 赵雪琴; 张磊; 郭其新; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2012-10-03
21． 一种采用AlInN量子垒提高GaN基LED内量子效率的LED结构及制备方法 王成新; 王强; 徐现刚 ; 李树强; 曲爽 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-10-17
22． 一种采用AlGaInN四元材料作为量子阱和量子垒的LED结构及其制备方法 王成新; 王强; 徐现刚 ; 李树强; 曲爽 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-10-17
23． 带有ZnO微米图形阵列的LED管芯及其制备方法 吴拥中; 尹正茂; 郝霄鹏; 刘晓燕; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2012-10-24
24． 带有ZnO微米和纳米复合结构的LED管芯及其制备方法 吴拥中; 尹正茂; 郝霄鹏; 刘晓燕; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2012-10-24
25． 一种低应力的氮化镓外延层的制备方法 曲爽; 徐现刚 ; 邵慧慧; 王成新; 李树强 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-10-31
26． 一种以石墨烯作为缓冲层外延GaN的结构及其制备方法 曲爽; 徐现刚 ; 邵慧慧; 王成新; 李树强 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2012-11-07
27． 一种大直径4H-SiC晶片碳面的表面抛光方法 陈秀芳; 徐现刚 ; 胡小波; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2011-02-09
28． 一种GaN基LED管芯P型GaN层的结构 徐现刚 ; 沈燕; 胡小波 【中国专利】山东大学 2011-01-19
29． 具有较高静电击穿电压的GaN基LED 吴德华; 朱学亮; 曲爽; 李树强; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-02-16
30． 一种半导体激光器巴条制作方法 于果蕾; 汤庆敏; 房玉锁; 徐现刚 ; 夏伟 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-03-30
31． 一种制备GaN基LED的方法 沈燕; 徐现刚 ; 王成新; 夏伟; 李树强 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-03-30
32． 锥状图形衬底的两次腐蚀制备方法 邵慧慧; 曲爽; 王成新; 李树强; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-04-06
33． 一种光纤耦合输出半导体激光器输出光斑匀化方法 于果蕾; 开北超; 汤庆敏; 孟秋真; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-04-13
34． 一种金属介质纳米结构发光二极管及其制备方法 夏伟; 张秋霞; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-04-27
35． 平板倒装焊GaN基LED芯片结构 沈燕; 徐现刚 ; 徐化勇; 郑鹏 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-04-27
36． 一种管芯串联激光器封装方法 于果蕾; 房玉锁; 李沛旭; 汤庆敏; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-05-25
37． 一种光纤耦合半导体激光器输出光带指示装置 于果蕾; 孟秋真; 汤庆敏; 徐现刚 ; 李沛旭 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-06-01
38． 一种半导体激光器双弧面镀膜光纤整形方法 于果蕾; 徐现刚 ; 汤庆敏; 李沛旭; 房玉锁 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-06-01
39． 在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法 陈秀芳; 魏汝省; 胡小波; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2011-05-11
40． 一种GaAs基LED芯片的激光切割方法 赵霞焱; 徐现刚 ; 张秋霞; 黄少梅 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-06-01
41． 一种干法与湿法混合制备蓝宝石图形衬底的方法 邵慧慧; 曲爽; 王成新; 李树强; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-05-18
42． 倒装功率LED管芯自由组合灯芯 沈燕; 徐现刚 ; 徐化勇; 张玉娟 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-05-18
43． 一种电致/光致混合发光白光LED芯片及制作方法 夏伟; 苏建; 张秋霞; 任忠祥; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-05-18
44． 单芯片白光LED及其制备方法 苏建; 夏伟; 张秋霞; 任忠祥; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-05-18
45． 一种白光LED芯片及其制备方法 张秋霞; 夏伟; 苏建; 任忠祥; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-05-18
46． 一种LED芯片的切割方法 张秋霞; 任忠祥; 夏伟; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-06-15
47． 基于激光器的SiC衬底LED大面积可控表面粗化刻蚀方法 左致远; 刘铎; 徐现刚 ; 何京良 【中国专利】山东大学 2011-06-29
48． 一种GaN基LED外延片表面粗化方法 曲爽; 邵慧慧; 王成新; 李树强; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2011-07-20
49． 一种利用ZnO纳米锥阵列提高LED发光效率的方法 吴拥中; 尹正茂; 郝霄鹏; 刘晓燕; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2011-08-17
50． 一种测量SiC晶体中微管密度的方法 王翎; 彭燕; 徐现刚 ; 胡小波; 宁丽娜 【中国专利】山东大学 2011-09-07
51． 一种金属纳米颗粒辅助实现发光二极管表面粗化的方法 王瑞军; 刘铎; 左致远; 于谦; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2011-08-31
52． 一种刻面碳化硅宝石成品的加工方法 付芬; 徐现刚 ; 田亮光 【中国专利】山东大学 2011-09-28
53． 一种LED外延片表面制备TiO2 纳米柱阵列的方法 郝霄鹏; 刘晓燕; 吴拥中; 尹正茂; 周伟家; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2011-10-12
54． 作为提高LED出光效率微透镜的聚苯乙烯半球的制备方法 郝霄鹏; 刘晓燕; 巩海波; 吴拥中; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2010-09-08
55． 一种SiC衬底GaN基LED的湿法腐蚀剥离方法 吴德华; 朱学亮; 李树强; 王成新; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-08-04
56． 基于激光器的LED大面积可控表面粗化及刻蚀方法 刘铎; 左致远; 张百涛; 何京良; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2010-10-20
57． 一种SiC衬底LED的欧姆接触电极制备方法 沈燕; 徐现刚 ; 徐化勇; 王成新; 李树强 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-12-08
58． 一种有效利用电流的LED电极结构及其制作方法 张秋霞; 徐现刚 ; 夏伟; 苏建; 陈康 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-12-08
59． GaN基LED图形化透明导电薄膜的制作方法 沈燕; 徐现刚 ; 郑鹏; 刘存志; 李树强 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-12-08
60． 一种反极性AlGaInP红光LED芯片电流扩展的制作方法 夏伟; 徐现刚 ; 苏建; 张新; 张秋霞; 陈康; 任忠祥 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-12-08
61． 一种适合激光剥离的大功率GaN基LED外延结构 刘长江; 张成山; 徐现刚 ; 任忠祥 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-12-08
62． 一种退火剥离倒装SiC衬底GaN基LED的制作方法 吴德华; 朱学亮; 杨鑫沼; 曲爽; 李树强; 王成新; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-12-08
63． 石墨烯光学调Q开关及应用 于浩海; 徐现刚 ; 陈秀芳; 张怀金; 胡小波; 王正平; 王继扬; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2010-12-08
64． 一种半导体激光器掩蔽膜的制作方法 夏伟; 徐现刚 ; 任忠祥 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2007-08-22
65． 一种具有新型掺杂GaP层的AlGaInP发光二极管 李树强; 徐现刚 ; 夏伟; 张新; 任忠祥; 张成山; 赵克家 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2007-09-05
66． 一种高亮度发光二极管芯片的制备方法 任忠祥; 夏伟; 徐现刚 ; 李树强 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2007-09-05
67． 一种P型磷化镓半导体材料及其制备方法 徐现刚 ; 李树强; 夏伟; 张新; 任忠祥; 赵克家; 张成山 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2007-09-12
68． 彩色碳硅石单晶及其制备方法与人造宝石的制备 陈秀芳; 徐现刚 ; 胡小波; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2007-09-19
69． 一种在SiC衬底上制备的发光二极管 徐现刚 ; 宁丽娜; 李树强; 胡小波; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2007-10-24
70． 带电流调整层的AlGaInP系LED芯片及其制备方法 吴作贵; 张新; 李树强; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-05-26
71． 半导体激光器TO管座封装光束压缩工艺 汤庆敏; 苏建; 于果蕾; 夏伟; 徐现刚 ; 王海卫; 李佩旭; 刘长江 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-01-06
72． 一种利用交变电场制备纳米颗粒的方法 郝霄鹏; 高敞; 吴拥中; 巩海波; 徐现刚 ; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2008-08-20
73． 一种高效半导体纳米材料的制备方法及其应用 崔得良; 徐现刚 ; 高善民; 殷永泉; 黄柏标; 潘教青; 王继扬; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2001-10-10
74． CaAsSb/InP双异质结晶体三极管及其制备方法 徐现刚 ; 崔得良; 白玉俊; 郝霄鹏 【中国专利】山东大学 2001-10-17
75． 制备氮化硼纳米微粉的方法 崔得良; 郝霄鹏; 徐现刚 ; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2001-11-28
76． 水热条件下制备氮化物超微粉和氮化物晶体的方法 郝霄鹏; 崔得良; 于美燕; 徐现刚 ; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2002-08-21
77． 一种高效半导体纳米材料的应用 崔得良; 徐现刚 ; 高善民; 殷永泉; 黄柏标; 潘教青; 王继扬; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2004-05-12
78． 一种生长具有半导体特性的大直径6H-SiC单晶的装置和方法 徐现刚 ; 胡小波; 王继扬; 王丽; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2004-12-15
79． 低温低压合成氮化物晶体材料的方法 郝霄鹏; 徐现刚 ; 张怀金; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2004-12-29
80． 具有阻尼的晶体旋转提拉装置 王继扬; 刘宏; 高磊; 张怀金; 徐现刚 ; 蒋民华; 吴建波; 秦晓勇; 朱怀烈 【中国专利】山东大学 2005-03-23
81． 一种用于近化学计量比铌酸锂晶体生长的悬挂坩埚及生长方法 王继扬; 刘宏; 高磊; 张怀金; 徐现刚 ; 蒋民华; 吴建波; 秦晓勇; 朱怀烈 【中国专利】山东大学;中电科技德清华莹电子有限公司 2005-08-17
82． 消除ZnSe/BeTeⅡ量子阱中内秉电场的方法 冀子武; 郑雨军; 赵雪琴; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2010-05-26
83． 大直径SiC单晶的切割方法 徐现刚 ; 胡小波; 陈秀芳; 李娟; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2006-03-01
84． 大直径高硬度6H-SiC单晶片的表面抛光方法 徐现刚 ; 胡小波; 陈秀芳; 蒋民华 【中国专利】山东大学 2006-09-27
85． 用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法 胡小波; 宁丽娜; 李娟; 王英民; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2008-11-12
86． 利用YAG透明陶瓷制备白光LED的方法 刘长江; 徐现刚 ; 张成山; 任忠祥; 刘琦 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2009-01-07
87． 非对称结构的无铝有源区808nm大功率量子阱激光器 李沛旭; 李树强; 夏伟; 张新; 汤庆敏; 任忠祥; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2009-01-07
88． 一种白光LED 刘长江; 徐现刚 ; 张成山; 任忠祥; 沈燕; 吕启超 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2009-05-13
89． 一种中低功率半导体激光器的封装制作方法 王海卫; 汤庆敏; 徐现刚 ; 夏伟; 苏建; 李沛旭 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2008-12-24
90． 用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置 冀子武; 郑雨军; 赵雪琴; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2009-09-23
91． 用分子束外延工艺制备Ⅱ型量子阱的方法及设备 冀子武; 郑雨军; 赵雪琴; 李炳生; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2009-09-23
92． 蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法 李树强; 徐现刚 ; 张新; 马光宇; 任忠祥; 夏伟; 吴小强; 卢振; 于军; 吴作贵 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2009-09-23
93． 硅衬底上外延生长的铝镓铟磷发光二极管 李树强; 徐现刚 ; 张新; 马光宇; 吴小强; 卢振 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-01-27
94． 6H-SiC基底反极性AlGaInP LED芯片 徐现刚 ; 夏伟; 苏建 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2009-09-23
95． 硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法 李树强; 徐现刚 ; 张新; 马光宇; 吴小强; 卢振 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2009-09-23
96． 基于GaAs衬底的AlGaInP四元三端电极发光管 沈燕; 刘存志; 李懿洲; 赵霞炎; 彭璐; 郑鹏; 张新; 李树强; 夏伟; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2009-11-25
97． 蓝宝石衬底的AlGaInP发光二极管 李树强; 徐现刚 ; 张新; 马光宇; 任忠祥; 夏伟; 吴小强; 卢振; 于军; 吴作贵 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-01-27
98． 一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法 沈燕; 徐现刚 ; 李树强; 夏伟; 任忠祥 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2009-12-16
99． 降低位错缺陷的GaN基LED芯片外延生长方法 朱学亮; 吴德华; 曲爽; 吴亭; 李树强; 徐现刚 ; 任忠祥 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-05-05
100． 一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法 郝霄鹏; 巩海波; 吴拥中; 夏伟; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2010-06-16
101． 大功率LED灌封工艺 庄智勇; 徐现刚 ; 夏伟; 张成山; 刘长江 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-06-30
102． 一种SiC或Si衬底GaN基晶体的结构及其生长方法 吴德华; 朱学亮; 曲爽; 李毓锋; 李树强; 徐现刚 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-07-07
103． 具有电子空穴双重限制的AlGaInP系LED及其制备方法 李树强; 徐现刚 ; 张新; 吴作贵 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-07-07
104． 一种高出光率SiC衬底LED芯片及其制备方法 吴德华; 朱学亮; 曲爽; 张鸿月; 李树强; 徐现刚 ; 任忠祥 【中国专利】山东华光光电子有限公司 2010-02-03
105． 一种利用ITO颗粒掩膜粗化红光发光二极管的方法 郝霄鹏; 巩海波; 夏伟; 吴拥中; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2010-02-24
106． 利用PS球作模板制作发光二极管粗化表面的方法 郝霄鹏; 夏伟; 巩海波; 吴拥中; 徐现刚 【中国专利】山东大学 2010-02-24
先后在国际性学术期刊上发表论文120多篇，被SCI和EI收录论文约70篇。
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1 山东省半导体照明材料发展报告 胡小波; 徐现刚 ; 王继扬 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】山东省材料发展报告2010～2011 2012-01-01
2 SiC单晶中生长缺陷的研究进展 胡小波; 彭燕; 陈秀芳; 宋生; 魏汝省; 王丽焕; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-06晶体结构、缺陷和表征 2012-10-21
3 4H-SiC晶体表面形貌和缺陷 彭燕; 胡小波; 徐现刚 ; 魏汝省; 徐化勇; 宋生; 高玉强 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集 2009-11-06
4 SiC衬底上GaN基的材料生长及器件研究 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东华光光电子有限公司 【中国会议】第十一届全国MOCVD学术会议论文集 2010-01-13
5 MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808 nm无铝量子阱激光器 李沛旭; 夏伟; 李树强; 张新; 汤庆敏; 任忠祥; 徐现刚 山东大学晶体材料重点实验室; 山东华光光电子有限公司 【中国会议】第十五届全国化合物半导体材料; 微波器件和光电器件学术会议论文集 2008-11-30
6 SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED 朱学亮; 曲爽; 刘存志; 李树强; 夏伟; 沈燕; 任忠祥; 徐现刚 山东华光光电子有限公司; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】第十五届全国化合物半导体材料; 微波器件和光电器件学术会议论文集 2008-11-30
7 4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性 俞斐; 吴军; 韩平; 王荣华; 葛瑞萍; 赵红; 俞慧强; 谢自力; 徐现刚 ; 陈秀芳; 张荣; 郑有炓 南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室; 山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室 【中国会议】第十五届全国化合物半导体材料; 微波器件和光电器件学术会议论文集 2008-11-30
8 提高倒装AlGaInP LED光效的表面粗化研究 张秋霞; 夏伟; 苏建; 陈康; 孔洪美; 徐现刚 山东浪潮华光光电子有限公司 【中国会议】第十二届全国LED产业研讨与学术会议论文集 2010-09-09
9 4.8 W连续输出大功率红光半导体激光器的研制 王海卫; 张新; 李沛旭; 汤庆敏; 李树强; 夏伟; 徐现刚 山东华光光电子有限公司; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】2010’全国半导体器件技术研讨会论文集 2010-07-16
10 低温苯热合成氮化硼纳米晶 郝霄鹏; 崔得良; 白玉俊; 史桂霞; 殷永泉; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】纳米材料和技术应用进展——全国第二届纳米材料和技术应用会议论文集（上卷） 2001-06-30
11 氮化硼纳米晶的低温苯热合成 郝霄鹏; 崔得良; 白玉俊; 史桂霞; 殷永泉; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集 2001-10-01
12 Nd:La3 Ga(5.5) Ta(0.5) O(14) 晶体生长及其激光性能 孔海宽; 王继扬; 张怀金; 刘均海; 林彦霆; 胡小波; 徐现刚 山东大学; 山东大学 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30
13 新型激光晶体Nd:LuVO4 的生长与性能研究 赵守仁; 张怀金; 王继扬; 孔海宽; 刘均海; 胡小波; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30
14 6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界 韩荣江; 王继扬; 胡小波; 徐现刚 ; 董捷; 李现祥 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30
15 6H-SiC单晶的生长与缺陷 胡小波; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华; 韩荣江; 董捷; 李现祥 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30
16 透射电子显微镜直接观察SiC晶体中的层错结构 徐现刚 ; 胡小波; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30
17 稀土掺质YCOB系列晶体生长 张怀金; 王继扬; 胡小波; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30
18 低温低压苯热合成立方氮化硼纳米晶 郝霄鹏; 李玲; 董守义; 展杰; 崔得良; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30
19 SiC多晶片在高能电子束照射下枝晶生长现象 李现祥; 徐现刚 ; 胡小波; 韩荣江; 董捷; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30
20 高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构 董捷; 胡小波; 韩荣江; 李现祥; 徐现刚 ; 王继扬 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30
21 低温溶剂热合成立方氮化铝纳米晶 李玲; 郝霄鹏; 于乃森; 徐红燕; 徐现刚 ; 崔德良; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集 2003-06-30
22 反应温度对苯热合成氮化硼纳米晶的影响 郝霄鹏; 展杰; 房伟; 李玲; 董守义; 崔得良; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ 2004-09-01
23 温度及温度梯度对SiC单晶生长的影响 李现祥; 李娟; 董捷; 王丽; 姜守振; 韩荣江; 徐现刚 ; 王继扬; 胡小波; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ 2004-09-01
24 Micro-Raman光谱鉴定碳化硅单晶的多型结构 王丽; 胡小波; 董捷; 李娟; 姜守振; 李现祥; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ 2004-09-01
25 GaP/GaN核壳型纳米复合材料的制备 于乃森; 郝霄鹏; 展杰; 李玲; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【中国会议】第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ 2004-09-01
26 半绝缘SiC单晶生长和表征 宋生; 胡小波; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】人工晶体学报 2012-08-15
27 MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料 蒋锴; 李沛旭; 张新; 李树强; 夏伟; 汤庆敏; 胡小波; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东华光光电子有限公司 【期刊】人工晶体学报 2012-08-15
28 不同极性6H-SiC表面石墨烯的制备及其电子结构的研究 康朝阳; 唐军; 李利民; 潘海斌; 闫文盛; 徐彭寿; 韦世强; 陈秀芳; 徐现刚 中国科学技术大学国家同步辐射实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】物理学报 2011-04-15
29 超强磁场下非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中激子和带电激子的光学特性 冀子武; 郑雨军; 徐现刚 山东大学物理学院; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】物理学报 2011-04-15
30 碳化硅晶体的可见近红外透射光谱分析 于元勋; 连洁; 官文栎; 王公堂; 李娟; 徐现刚 齐鲁师范学院物理系; 山东大学信息科学与工程学院; 山东师范大学物理与电子科学学院; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】山东大学学报(工学版) 2011-04-16
31 基于6H-SiC衬底外延石墨烯的被动锁模掺镱光纤激光器 刘江; 魏汝省; 徐佳; 徐现刚 ; 王璞 北京工业大学激光工程研究院国家产学研激光技术中心; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】中国激光 2011-08-10
32 808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制 王翎; 李沛旭; 房玉锁; 汤庆敏; 张新; 夏伟; 任忠祥; 徐现刚 山东大学; 山东华光光电子有限公司 【期刊】半导体技术 2011-12-03
33 6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究 王英民; 宁丽娜; 彭燕; 徐化勇; 胡小波; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】人工晶体学报 2009-02-15
34 Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nm AlGaInP宽面半导体激光器 马德营; 李佩旭; 夏伟; 李树强; 汤庆敏; 张新; 任忠祥; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学信息科学与工程学院; 山东华光光电子有限公司 【期刊】人工晶体学报 2009-06-15
35 退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响 唐军; 刘忠良; 康朝阳; 闫文盛; 徐彭寿; 潘海斌; 韦世强; 高玉强; 徐现刚 中国科学技术大学国家同步辐射实验室; 淮北煤炭师范学院物理与电子信息学院; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】物理化学学报 2010-01-15
36 以(10■5)面为籽晶的6H-SiC单晶生长与缺陷研究 高玉强; 彭燕; 李娟; 陈秀芳; 胡小波; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】人工晶体学报 2010-04-15
37 4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究 彭燕; 宁丽娜; 高玉强; 徐化勇; 宋生; 蒋锴; 胡小波; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室; 嘉兴学院 【期刊】人工晶体学报 2010-06-15
38 ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率 巩海波; 郝霄鹏; 夏伟; 吴拥中; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东华光光电子有限公司 【期刊】光电子.激光 2010-09-15
39 ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中界面结构对发光特性的影响 冀子武; 郑雨军; 徐现刚 ; 鲁云 山东大学物理学院; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 千叶大学大学院工学研究科 【期刊】物理学报 2010-11-15
40 退火对6H-SiC晶体的光学性质及光致发光的影响 马峥; 连洁; 王青圃; 马跃进; 宋平; 高尚; 吴仕梁; 王晓; 徐现刚 ; 李娟 山东大学信息科学与工程学院; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】红外与激光工程 2010-10-25
41 湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究 邵慧慧; 李树强; 曲爽; 李毓锋; 王成新; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东华光光电子有限公司 【期刊】人工晶体学报 2010-12-15
42 MOCVD生长AlGaInP/InGaAsP大功率808nm无铝量子阱激光器 李沛旭; 夏伟; 李树强; 张新; 汤庆敏; 任忠祥; 徐现刚 山东大学晶体材料重点实验室; 山东华光光电子有限公司 【期刊】半导体技术 2008-12-31
43 SiC衬底上MOCVD法外延GaN基蓝光LED 朱学亮; 曲爽; 刘存志; 李树强; 夏伟; 沈燕; 任忠祥; 徐现刚 山东华光光电子有限公司; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】半导体技术 2008-12-31
44 4H-Si(1-y) Cy 合金的生长及特性 俞斐; 吴军; 韩平; 王荣华; 葛瑞萍; 赵红; 俞慧强; 谢自力; 徐现刚 ; 陈秀芳; 张荣; 郑有炓 南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室; 山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室 【期刊】半导体技术 2008-12-31
45 SiC单晶片的超精密加工 李娟; 陈秀芳; 马德营; 姜守振; 李现祥; 王丽; 董捷; 胡小波; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 山东济南; 山东济南 【期刊】功能材料 2006-01-20
46 6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制 李现祥; 胡小波; 董捷; 姜守振; 李娟; 陈秀芳; 王丽; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2006-02-28
47 AlN单晶生长研究进展 李娟; 胡小波; 姜守振; 陈秀芳; 李现祥; 王丽; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2006-02-28
48 同步辐射白光形貌术观察SiC单晶中的微小多型结构 李现祥; 董捷; 胡小波; 李娟; 姜守振; 王丽; 陈秀芳; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华; 田玉莲; 黄万霞; 朱佩平 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 北京高能物理研究所同步辐射实验室; 北京高能物理研究所同步辐射实验室 山东济南; 山东济南 【期刊】功能材料 2006-04-20
49 BN坩埚中的AlN单晶生长 李娟; 胡小波; 姜守振; 王英民; 宁丽娜; 陈秀芳; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2006-04-30
50 PIN结构发光二极管反向击穿特性分析 李树强; 夏伟; 马德营; 张新; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学; 山东大学; 山东华光光电子有限公司; 山东大学 山东济南; 山东济南 【期刊】光电子?激光 2006-04-15
51 Mg掺杂AlInP 650 nmLD外延片的Zn扩散研究 李树强; 马德营; 夏伟; 陈秀芳; 张新; 任忠祥; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东华光光电子有限公司; 山东大学晶体材料国家重点实验室 山东济南; 山东济南 【期刊】光电子?激光 2006-07-15
52 6H-SiC晶片的退火处理 姜守振; 李娟; 陈秀芳; 王英民; 宁丽娜; 于光伟; 胡小波; 徐现刚 ; 王继杨; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2006-10-30
53 同步辐射背反射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的小角晶界和微管 姜守振; 黄先荣; 胡小波; 李娟; 陈秀芳; 王英民; 宁丽娜; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 纽约州立大学石溪分校材料科学与工程系; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 山东济南; 美国纽约11794; 山东济南 【期刊】功能材料 2006-12-20
54 MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP 650nm激光器 夏伟; 王翎; 李树强; 张新; 马德营; 任忠祥; 徐现刚 山东大学信息科学与工程学院; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学信息科学与工程学院; 山东华光光电子有限公司; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2006-12-30
55 沿[1 ■00]方向升华法生长6H-SiC单晶 姜守振; 李娟; 陈秀芳; 王英民; 宁丽娜; 胡小波; 徐现刚 ; 王继杨; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2007-02-28
56 SiC单晶生长及其晶片加工技术的进展 姜守振; 徐现刚 ; 李娟; 陈秀芳; 王英民; 宁丽娜; 胡小波; 王继杨; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】半导体学报 2007-05-15
57 微小孔径激光器的光谱特性综述 盖洪峰; 王佳; 田芊; 夏伟; 徐现刚 清华大学精密仪器系精密测试技术及仪器国家重点实验室; 山东大学; 山东大学 北京 【期刊】光学技术 2007-07-20
58 3英寸6H-SiC单晶的生长 王英民; 宁丽娜; 陈秀芳; 彭燕; 高玉强; 胡小波; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2007-06-15
59 高透腔面大功率650nm红光半导体激光器 夏伟; 马德营; 王翎; 李树强; 汤庆敏; 张新; 刘琦; 任忠祥; 徐现刚 山东大学信息科学与工程学院晶体材料国家重点实验室; 山东大学信息科学与工程学院晶体材料国家重点实验室; 山东华光光电子有限公司; 山东大学信息科学与工程学院晶体材料国家重点实验室 山东济南; 山东济南 【期刊】中国激光 2007-09-15
60 6H-SiC衬底片的表面处理(英文) 陈秀芳; 徐现刚 ; 胡小波; 杨光; 宁丽娜; 王英民; 李娟; 姜守振; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2007-10-15
61 Mn/6H-SiC(0001)界面的同步辐射光电子能谱研究 武煜宇; 刘金锋; 孙柏; 刘忠良; 徐彭寿; 陈秀芳; 徐现刚 中国科学技术大学国家同步辐射实验室; 中国工程物理研究院流体物理研究所; 中国科学院合肥智能机械研究所; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】核技术 2008-12-10
62 硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响 宁丽娜; 胡小波; 王英民; 王翎; 李娟; 彭燕; 高玉强; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】功能材料 2008-12-20
63 6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性 刘金锋; 刘忠良; 任鹏; 徐彭寿; 陈秀芳; 徐现刚 中国科学技术大学国家同步辐射实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 中国工程物理研究院流体物理研究所; 四川绵阳 【期刊】物理化学学报 2008-04-15
64 6H-SiC单晶表面ZnO薄膜的制备及其结构表征 孙柏; 李锐鹏; 赵朝阳; 徐彭寿; 张国斌; 潘国强; 陈秀芳; 徐现刚 中国科学技术大学国家同步辐射实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】无机材料学报 2008-04-15
65 透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性 李娟; 胡小波; 高玉强; 王翎; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室 【期刊】人工晶体学报 2008-10-15
66 SiC单晶生长 刘喆; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 山东济南; 山东济南 【期刊】材料科学与工程学报 2003-04-20
67 Er:Yb:YCOB晶体制备及其激光二极管抽运激光特性 葛炳辉; 张怀金; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华; Phillip Burns; Judith M.Dawes; PU Wang; James A.Piper 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; Center for Lasers and Applications; Maquarie University; Sydney NSW 2109; Australia; Australia 济南 【期刊】人工晶体学报 2003-10-30
68 大直径6H-SiC单晶的生长 徐现刚 ; 胡小波; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2003-10-30
69 金刚石线锯切割大直径SiC单晶 陈秀芳; 李娟; 马德营; 胡小波; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 山东济南; 山东济南 【期刊】功能材料 2005-10-20
70 新型BiB3 O6 晶体高效和频产生355nm紫外激光 张少军; 董圣明; 李福奇; 翟仲军; 徐现刚 ; 王继扬; 王青圃; 张福军; 张行愚; 李平 山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室; 山东大学光学系; 山东大学光学系 山东济南; 山东济南 【期刊】中国激光 2003-12-25
71 核壳型复合半导体纳米粒子的研究 于乃森; 李玲; 郝霄鹏; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 山东济南; 山东济南 【期刊】材料科学与工程学报 2004-06-20
72 6H-SiC单晶的生长与缺陷 胡小波; 徐现刚 ; 王继扬; 韩荣江; 董捷; 李现祥; 蒋民华 山东大学; 晶体材料国家重点实验室; 山东大学; 晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】硅酸盐学报 2004-03-26
73 激光二极管抽运被动调Q周期极化铌酸锂腔内倍频激光特性的研究 张少军; 王青圃; 徐现刚 ; 董春明; 张行愚; 李平; 张伟; 刘兆军; 李昀初 山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室; 山东大学光学系; 山东大学晶体材料研究所晶体材料国家重点实验室; 山东大学光学系 济南 【期刊】光学学报 2004-05-17
74 升华法生长大直径的SiC单晶 李娟; 胡小波; 王丽; 李现祥; 韩荣江; 董捷; 姜守振; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】中国有色金属学报 2004-12-30
75 SiC单晶生长热力学和动力学的研究 董捷; 刘喆; 徐现刚 ; 胡晓波; 李娟; 王丽; 李现祥; 王继扬 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2004-06-30
76 6H-SiC单晶中的微管和小角度晶界 韩荣江; 王继扬; 胡小波; 徐现刚 ; 董捷; 李现祥; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2004-06-30
77 立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究 李玲; 郝霄鹏; 于乃森; 徐现刚 ; 崔德良; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2004-06-30
78 同步辐射单色光形貌术观察6H-SiC单晶中的微管缺陷 胡小波; 徐现刚 ; 李现祥; 董捷; 韩荣江; 王丽; 李娟; 王继扬; 田玉莲; 黄万霞; 朱佩平 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 北京高能物理研究所同步辐射实验室; 北京高能物理研究所同步辐射实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2004-06-30
79 6H-SiC单晶(0001)Si-面的表面生长形貌 韩荣江; 王继扬; 胡小波; 董捷; 李现祥; 李娟; 王丽; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2004-06-30
80 Nd:LuVO4 晶体的生长及其性能研究 赵守仁; 张怀金; 胡小波; 孔海宽; 刘均海; 徐现刚 ; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2004-06-30
81 微管在6H-SiC单晶生长过程中的演化 韩荣江; 王继扬; 徐现刚 ; 胡小波; 李娟; 李现祥; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 青岛科技大学材料与环境科学学院青岛 【期刊】硅酸盐学报 2004-11-26
82 新型钨青铜型晶体Ca(0.28) Ba(0.72) Nb2 O6 的生长研究 宋化龙; 张怀金; 徐现刚 ; 胡小波; 许心光; 王继扬; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2004-10-30
83 显微激光拉曼光谱法鉴别SiC晶体的多型体结构 韩荣江; 王继扬; 徐现刚 ; 胡小波; 董捷; 李现祥; 李娟; 姜守振; 王丽; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 青岛科技大学材料与环境科学学院 【期刊】人工晶体学报 2004-12-30
84 高分辨X射线衍射法研究碳化硅单晶片中的多型结构 董捷; 胡小波; 徐现刚 ; 王继扬; 韩荣江; 李现祥 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2004-12-30
85 BaWO_4多晶料的合成与优质单晶的生长 葛文伟; 张怀金; 王继扬; 刘均海; 徐现刚 ; 胡小波; 刘宏; 尹鑫; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】人工晶体学报 2005-02-28
86 Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用 王立民; 刘振刚; 董守义; 于美燕; 郝霄鹏; 崔得良; 徐现刚 ; 王琪珑 山东大学微纳材料中心; 山东大学化学与化工学院; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学化学与化工学院 济南 【期刊】人工晶体学报 2002-08-30
87 纳米氮化铝常压溶剂热合成及其光致发光 于美燕; 王立民; 郝霄鹏; 董守义; 徐现刚 ; 王琪珑 山东大学化学与化工学院; 山东大学微纳材料中心; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学化学与化工学院 济南 【期刊】人工晶体学报 2002-12-30
88 GaP/桑色素纳米复合材料自组织形态与桑色素浓度的关系 史桂霞; 白玉俊; 郝霄鹏; 崔得良; 刘振刚; 徐现刚 ; 王琪珑 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学化学与化工学院; 山东大学化学与化工学院 山东济南; 山东济南 【期刊】山东大学学报(理学版) 2002-04-30
89 有机衬底SnO_2:Sb透明导电膜的制备与特性研究 郝晓涛; 马瑾; 徐现刚 ; 杨莺歌; 张德恒; 杨田林; 马洪磊 山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所; 山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 淄博学院数理系; 山东大学物理与微电子学院光电? 【期刊】物理学报 2002-02-12
90 一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管 刘喆; 唐喆; 崔得良; 徐现刚 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】物理 2002-05-24
91 Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉 程兴奎; 黄柏标; 徐现刚 ; 任红文; 刘士文; 蒋民华 山东大学光电材料与器件研究所; 山东大学晶体材料所 【期刊】电子学报 2001-05-25
92 GaP纳米复合发光材料的制备和性质 崔得良; 尉吉勇; 潘教青; 郝霄鹏; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 山东济南; 山东济南 【期刊】功能材料 2001-10-25
93 GaAsSb/InP异质结晶体三极管 徐现刚 ; S.P.Watkins 山东大学晶体材料国家重点实验室; Physics Department; Simon Fraser University; Burnaby; Canada 【期刊】固体电子学研究与进展 2001-03-30
94 InGaAs/InP异质结界面层的应变研究 徐现刚 ; 崔得良; 唐喆; 郝霄鹏; K.Heime 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; Institut fｒ Ｈａｌｂｌｅｉｔｅｒｔｅｃｈｎｉｋ 济南; RWTH Aachen; Germany 【期刊】中国科学(A辑) 2001-09-20
95 利用纳米晶的催化性质合成二联苯 崔得良; 郝霄鹏; 于晓强; 史桂霞; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】中国科学(B辑 化学) 2001-10-20
96 有机衬底SnO_2∶Sb透明导电膜的研究 马瑾; 郝晓涛; 马洪磊; 张德恒; 徐现刚 山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所; 山东大学物理与微电子学院光电材料与器件研究所; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】半导体学报 2002-06-08
97 基于InP衬底的GaAsSb/InP异质结晶体管 徐现刚 ; 刘喆; 崔得良 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学晶体材料国家重点实验室 济南 【期刊】半导体学报 2002-09-08
98 热循环对 Cu Zn Al Mn Ni记忆合金中双可逆相变的影响(英文) 白玉俊; 徐现刚 ; 耿贵立 山东科技大学机械系; 山东大学材料科学与工程学院; 山东大学材料科学与工程学院 山东济南; 山东济南 【期刊】稀有金属材料与工程 2002-04-25
99 加热速率对CuZnAlMnNi记忆合金中双可逆相变的影响(英文) 白玉俊; 鲁成伟; 徐现刚 ; 耿贵立; 尹龙为 山东科技大学; 山东大学材料科学与工程学院; 山东济南 【期刊】稀有金属材料与工程 2002-10-25
100 AlGaAs/AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征 尉吉勇; 黄柏标; 于永芹; 周海龙; 岳金顺; 王笃祥; 潘教青; 秦晓燕; 张晓阳; 徐现刚 山东大学晶体生长国家重点实验室; 山东大学晶体生长国家重点实验室; 山东华光光电子有限公司; 山东大学晶体生长国家重? 【期刊】光电子?激光 2002-08-25
101 MOCVD生长GaAs／Alx Ga(1－x) As多量子阱子带间红外吸收特性 程兴奎; 黄柏标; 徐现刚 ; 刘士文; 任红文; 蒋民华 山东大学光电材料与器件研究所; 山东大学晶体材料研究所 【期刊】红外与毫米波学报 1994-02-25
102 高-低温溶液晶体生长溶质边界层的全息研究 于夕玲; 刘有臣; 岳学锋; 孙毅; 徐现刚 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所 山东 【期刊】中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 1994-12-15
103 MOCVD法制备GaSb、GaAsSb、AlGaSb和AlGaAsSb异质外延材料 刘士文; 徐现刚 ; 黄柏标; 刘立强; 任红文; 蒋民华 山东大学晶体材料研究所 【期刊】稀有金属 1994-01-04
104 MOCVD制备GaAs/AlGaAs多量子阱的光致发光特性 程兴奎; 黄柏标; 徐现刚 ; 刘士文; 任红文; 蒋民华 山东大学光电材料与器件研究所; 山东大学晶体材料研究所 【期刊】山东大学学报(自然科学版) 1996-12-25
105 GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收 程兴奎; 黄柏标; 徐现刚 ; 刘士文; 任红文; 蒋民华 山东大学光电材料与器件研究所; 山东大学晶体材料研究所 【期刊】红外与毫米波学报 1997-10-25
106 MOCVD生长高铝值Alx GaAs(x≥0.7)中的碳掺杂 王成新; 黄柏标; 徐现刚 ; 秦晓燕; 于淑琴; 蒋民华 山东大学晶体材料研究所 【期刊】山东大学学报(自然科学版) 1997-09-25
107 MOVPE生长GaAs/Alx Ga(1-x) As超晶格及其TEM表征 徐现刚 ; 黄柏标; 任红文; 刘士文; 蒋民华 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所 山东 【期刊】红外与毫米波学报 1992-04-30
108 MOCVD生长GaAs/AlGaAs清晰超薄异质外延材料 刘士文; 任红文; 刘立强; 徐现刚 ; 黄柏标; 蒋民华 山东大学晶体材料国家实验室; 山东大学晶体材料国家实验室; 山东大学晶体材料国家实验室 济南 【期刊】自然科学进展 1992-08-28
109 MOCVD 生长及 TEM 表征 GaAs/Al_xGa_(1-x)As 量子异质结构材料 徐现刚 ; 黄柏标; 刘士文; 任红文; 于淑琴; 蒋民华 山东大学; 山东大学 【期刊】材料科学进展 1993-05-01
110 MOCVD生长GaAs/AlGaAs掺杂量子异质结构工艺评价 任红文; 刘士文; 徐现刚 ; 黄柏标; 蒋民华 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所 济南 【期刊】人工晶体学报 1993-07-02
111 MOCVD法生长(Al,Ga)As碳掺杂机理研究 黄柏标; 刘士文; 徐现刚 ; 任红文; 蒋民华 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所 【期刊】稀有金属 1993-06-30
112 多层介质中的离子射程分布 夏日源; 徐现刚 ; 张兆林; 谭春雨; 杨洪; 孙秀芳 山东大学物理系; 山东大学物理系; 山东大学计算机科学系 【期刊】物理学报 1989-07-30
113 MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)的研究 黄柏标; 刘士文; 任红文; 刘立强; 蒋民华; 徐现刚 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所 济南 【期刊】固体电子学研究与进展 1991-10-01
114 MOCVD制备GaAlAs/GaAs和GaSb/GaAs超晶格结构 黄柏标; 徐现刚 ; 刘士文; 刘立强; 蒋民华 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所 济南 【期刊】人工晶体学报 1991-12-31
115 AlGaSb和AlGaAsSb薄膜材料的MOCVD法生长 黄柏标; 刘士文; 徐现刚 ; 刘立强; 蒋民华 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所 济南 【期刊】人工晶体学报 1991-12-31
116 MOCVD外延GaAs(1-x) Sbx /GaAs异质材料 徐现刚 ; 黄柏标; 刘士文; 刘立强; 任红文; 蒋民华 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所 济南 【期刊】人工晶体学报 1991-12-31
117 MOCVD生长单层和多层GaSb/GaAs、GaAs(1-x) Sbx /GaAs异质结构的X射线测试 刘士文; 徐现刚 ; 黄柏标; 刘立强; 蒋民华; 黄萍 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所; 山东师范大学调试中心 济南 【期刊】人工晶体学报 1991-12-31
118 下颌骨的测量、相关和性别判别 刘美音; 徐现刚 ; 王怀经; 沈效农; 段德刚 山东医科大学; 山东大学; 山东医科大学 【期刊】解剖学杂志 1991-03-02
119 MOCVD生长GaAs/AlGaAs量子阱研究 任红文; 黄柏标; 刘士文; 刘立强; 徐现刚 ; 蒋民华 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所; 山东大学晶体材料研究所 济南 【期刊】固体电子学研究与进展 1992-04-01
先后获洪堡学者、长江学者、泰山学者、英国工程师协会(IEE)和美国工程师协会(IEEE)最佳论文奖、国家杰出青年基金获得者、山东省留学回国创业奖、国务院政府特殊津贴等。
1． 2000年山东省十大杰出留学归国科技专家。
2． 2001年获“国家杰出青年基金”奖。
3． 2003年获山东省科技进步一等奖。
4． 2004年获“山东省十大杰出青年”荣誉称号。
5． 2005年被教育部聘为“长江学者”特聘教授。
6． 2007年享受国务院政府特殊津贴。
7． 2012年获“全国优秀科技工作者”荣誉称号。
资料更新中……
特聘教授的魅力——记山东大学徐现刚教授
三年前，年仅35岁的归国博士徐现刚成为教育部首批“长江学者奖励计划”特聘教授时，在山东大学曾激起一阵波澜。三年来，徐教授的战绩频频传出。为了解他的成功秘诀及创业历程，我走进晶体所，走进华光公司，走进他的家。
产学研三驾并驱
“话语不多，肯钻研，好琢磨，动手能力强，善于解决实际工作中遇到的疑难问题，是很难得的实干家……” 中国科学院院士、博士生导师蒋民华教授很了解他的学生。当教育部首次评审“长江学者奖励计划”特聘教授时，蒋院士首先想到的是身居海外的弟子徐现刚。同时，徐现刚在国外也一直关注国内的发展，网上看到国内鼓励大学教授走出校园搞产学研一条龙时，激情迸发：“我要发挥自己的优势，回国趟出一条半导体产业化之路”。师徒二人一拍即合。徐现刚成为教育部首批“长江学者奖励计划”特聘教授，于2000年1月1日举家归国，来到培育他的母校，继续从事晶体材料的研究，并投身于产业化的尝试。
徐教授选择了自己的路，并为之不懈奋斗。2000年，他成为山东大学第一位获得“国家杰出青年科学基金”资助的青年博士；2001年，他主持的碳化硅（SiC）方面的课题得到国家“863”计划的支持；2002年，他和华光光电子公司同仁共同承担的“半导体发光器件外延工艺及管芯技术”项目，通过专家组验收……
科研是徐教授的钟爱。他研究的SiC，是我们国家急需的第三代半导体。一般的半导体材料在高温下就失效了，而用碳化硅做的半导体器件可以在高温下起作用。碳化硅这种高温半导体材料不仅是重要的战略物资，而且是一种极有市场前景的衬底材料。为了该项目，徐教授和晶体所王继扬所长在今年春节除夕夜，就去德国考察碳化硅晶体材料的设备问题。费尽周折，终于在今年5月份签定了设备供货合同。目前，这一课题重大的科学意义、战略价值和应用背景正吸引了一批有志于为这一材料研究做贡献的科技工作者，他们在徐教授的主持下，正在一步步努力前行。从设备到工艺，从原料到加工，尽管刚刚起步，已经浸渍着徐教授的心血和汗水。面对着各方面的压力，徐教授仍充满着信心，争取在明年年底拿出高水平的单晶来。
也许，按照徐教授的背景、积累和实力，从事基础研究会得心应手，论文、成果会源源而来。但是，他更深深地了解，我国的半导体产业需要振兴和发展，我们要在世界半导体产业中占有一席之地。为此，他始终不忘自己的奋斗目标:为祖国半导体产业的发展趟出一条路。目标既定，徐教授便勇往直前。回国两年，他和山东华光光电子公司同仁一道于2002年４月份，由他们共同承担的“半导体发光器件外延工艺及管芯技术”项目，通过专家组验收，即将批量生产。
由山大以科研成果参股的山东华光光电子有限公司，承担国家计委产业化前期关键技术开发重大高技术项目-“半导体发光器件外延工艺及管芯技术”，它是迄今为止山东省信息产业规模最大、国家和省拨款支持最多的技术研发项目。“半导体发光器件外延工艺及管芯技术”课题分三部分：激光二极管外延片、发光二极管外延片及管芯。徐教授在公司里是总工程师，同时负责激光二极管外延工艺方面的研制。
“徐教授非常务实，具有科学的态度”，华光公司的同仁们说。他研制的“808nm无铝应变量子阱激光器”，采用先进的MOCVD设备进行材料的外延，优化了器件制备工艺，得到性能稳定可靠的大功率808nm半导体激光器，项目采用的激光器结构既可以提高激光器的可靠性和发光效率，又能降低阈值电流密度，在技术上具有创新性；而“650nm应变量子阱激光器”，则采用三次外延工艺，得到性能稳定重复的基横模650nm激光器管芯，管芯的最大输出功率在20mW以上。
在成果鉴定会上，以国家自然科学基金委副主任周炳琨院士为首的验收专家们一致认为这些“技术及产品性能指标均达国际先进水平，并拥有自己知识产权，他们圆满地完成了国家计委下达的任务，成功地将实验室科研成果转化为具有优势的产业化前期关键技术，并具有一定的生产能力。”从此，半导体发光器件有了“中国芯”，打破了半导体外延材料被美国、日本、台湾等国家和地区垄断的局面。
采访中，华光公司总经理说，徐教授最擅长的专业本来不是激光二极管外延工艺，但由于原主持这项工作的负责人突然去世，造成激光二极管方面的学术带头人空缺，眼看完成国家任务就要受到影响，在这种情况下，“徐教授在不是他优势的领域顶起来了，而且做得很好，出类拔萃。”徐教授成功了，这是一次自我挑战的成功，他深厚的科研功底也由此可见一斑。
解决疑难问题的高手
来自山东宁阳的徐教授，凭着一股韧劲，一口气在山大攻下学士、硕士、博士学位。1992年博士毕业后，留在山大晶体所从事金属有机化合物气相沉积（MOCVD）生长Ⅲ-V族半导体薄膜及器件制备等方面的研究工作。
由于学术成绩及其研究潜力，1995年，徐教授获德国洪堡奖学金资助，成为山东大学第二位得此资助的青年博士。他选择了在半导体界具有很高声誉的德国亚琛大学半导体研究所，该所是世界上最早开展MOCVD研究的单位之一。在那里，徐教授在国际著名半导体专家K？Heime教授的指导下，从事探索MCOVD用新型金属有机化合物源的研究工作。
同时，像种子找到了发芽的泥土，徐教授的勤于动脑、善于动手和扎实的基本功在研究过程中找到了用武之地。刚到亚琛大学半导体研究所时，正赶上所里的研究工作遇到困难，研究人员连续三年未长出表面光亮的外延薄膜，眼看项目结题的期限就要到了，Heime教授很是着急。徐教授到后，边熟悉设备，边找问题。凭着以往的工作经验和耐心细致的观察，终于找到了问题所在。原来，在设备复杂的管路系统中，有一处不锈钢管道内沉积了杂质。在密密的不锈刚管道内，杂质用眼睛看不到，很难发现，只有细心地观察和分析才能从一些参数中找出一点点线索。问题解决后，材料质量有了质的飞跃。Heimie教授及其高级助手非常高兴，连夸徐教授是材料制备方面的专家，所里的其他同事，也对他钦佩不已。
刚完成德国洪堡奖学金工作，徐教授便应邀前往加拿大Simon Fraser大学从事研究工作。去后正赶上那儿调整、改装设备，有徐教授的参与，从设备安装，到最后出样品，仅用了4个月的时间，令加拿大同行对他超群的科研能力和良好的合作精神十分钦佩。Simon教授在推荐信中写到：“徐现刚博士对HBTs项目的成功做出了突出贡献，没有他在MOCVD技术方面的丰富经验和夜以继日的勤奋工作，我们不可能在这么短的时间里取得成功。”
蒋院士为有这样的学生而欣慰，他说：“徐现刚应用素质很高，技术扎实。这样的人才很难得，他是从实践中产生出来的，我把他叫做解决疑难问题的高手。”
徐教授在半导体领域不断攀登。他采用MOCVD制备出高质量的GaAsSb/Inp双异质结晶体三极管，其结果处于国际领先地位。以此研究结果发表的论文获1998年英国工程师协会(IEE)的最佳论文奖，后获美国工程师协会该年度最佳论文奖。英国工程师协会和美国工程师协会是世界上两个重要的学术组织，半导体领域的诺贝尔奖金获得者和国际权威，大多是两协会的成员。对搞半导体的学者来说，从这两个协会获奖，是极高的荣誉。
一个谦逊又富于合作精神的人
不管在学校，还是在公司，徐教授的勤奋、敬业和出色的科研能力都是有口皆碑的。同时他的人品也和学识一样被人赏识。徐教授特别强调合作精神和团体力量在科研过程中的作用。“半导体领域的研究涉及到大型仪器和精密工艺，一个人本事再大，也不可能把所有的事情都做好，搞科研一定要有合作精神。”在加拿大，徐教授除了自己努力工作，还热心帮助别人，协助指导研究生的工作，从不计较个人的利害得失。直到现在，他还和世界各地的许多同行专家保持着密切联系。
徐教授不喜欢张扬，这点笔者深有感触。“千呼万唤始出来”，费了不少口舌才说服他接受采访。淡薄名利的思想，让他一心一意投入到工作中，这也许是他事业获得成功的一个因素吧。
生活中的徐教授在妻子眼中是个“感情很细腻的人，对家人很细致，体贴入微，他虽然没时间，但心里有家人。”难怪王所长说：“某一方面好不容易，全面好更不容易，全面好而且又加上人品好，我愿意用‘难得‘两个字形容他。我很欣赏他，并不是因为他一点、两点，而是他整体都相当地强，而且，我更注重的还是人品。有的人有点成绩，就恨不得身前挂着个牌子，向人们炫耀。徐现刚非常克制，不争名，不夺利，品质相当高。有时他也有委屈，但还是兢兢业业、任劳任怨地做工作。他对蒋院士等前辈相当尊重，跟同龄人相处都很坦诚、推心置腹，对年轻人也很爱护，跟大家相处得很好，这样谦逊又富于合作精神的人，是很难得的。”
这就是大家眼中的徐教授，一个实干家，一个谦逊的人，一个模范丈夫。面对鲜花、掌声，他以一颗平常心待之，对于坎坷与泥泞，他用平常心视之。他风雨兼程，洒满汗水的路上，已鲜花遍地。但为了明天的收获，他正以更饱满的热情投入到新的耕耘中去。我们听得见他坚实的脚步声，祝愿他一路顺风！
文章来源：《神州学人》2003年第1期
徐现刚：LED下游跟上游走 得材料者得天下
“话语不多，肯钻研，好琢磨，动手能力强，善于解决实际工作中遇到的疑难问题，是很难得的实干家……”这是导师中国科学院蒋民华院士对徐现刚博士的评语。
徐现刚，40多岁，山东大学教授，博士生导师，教育部长江学者特聘教授，国家杰出青年基金获得者，先后留学德国、加拿大和美国，2000年回国组建山东浪潮华光光电子有限公司技术团队，投身于光电子产业。
十多年来，由徐现刚博士领军的技术研发团队在光电子外延材料、管芯和器件研制方面持续创新，获得了业界的广泛好评，另外在SiC单晶衬底产业化及产业配套建设的研究工作也取得了突破性的进展，3英寸SiC衬底已达到开盒即用水平，小批量提供国内急需的用户使用。日前，其研发团队在高功率碳化硅(SiC)衬底制备大功率LED芯片方面再次取得进展，倒装垂直结构芯片裸晶功率接近400mW，与美国Cree公司近期投放市场的产品指标相当。
而徐现刚博士在接受记者采访时却一直强调没做出什么成绩，都是团队共同努力的结果。“您为什么那么低调?”面对记者的追问，他说：“我不是低调，而是在稳打稳扎的做事，在当代，团队是个人实现价值的重要基础和必要条件，产业化项目需要各方面的精英人才，只有一个团队才能完成任务。”在徐现刚博士看来，一个真正的科学家，是认真的做科研，做出实实在在的成绩。
执着：20多年专注于一个领域
“从1989年开始做，20多年了，一直在钻研MOCVD这个领域，对国际上出来的新技术方向和研究成果，我也会积极跟踪学习，结合自己的经验对研发方向做出及时的修正……”
从农村走出来的徐现刚立志要用所学知识创造财富。1989年，在蒋民华院士的引导下，他投入到了化合物半导体材料的外延生长以及器件制备研究，而高亮度AlGaInPLED是MOCVD薄膜生长技术最早获得产业化的成果之一，作为国内最早进行MOCVD技术研究的团队核心成员，徐现刚迅速把自己的研究方向集中到LED有机地结合的化合物半导体光电子领域，并与这个产业结下了不解之缘。
1995年，获得博士学位的徐现刚为了升华对专业知识的学习，又走出了国门，先后留学德国、加拿大和美国。在国外留学期间，徐现刚坚持用时间换资本，将大量的时间都投入到了工作和学习中。“那个时候早上7点多到实验室，通常要工作到晚上十一二点，周末也基本都泡在里面。看的文献，摞起来有2米多高，没有那段时间的付出所打下的牢固基础，就不可能有后面取得的成果。”
在加拿大不到两年的留学时光让徐现刚博士比较难忘。当时，其所在的研究所承担的研究课题在生长表面光亮的外延薄膜上遇到了重大难题，徐现刚凭着以往的工作经验和刻苦研究，最终解决了研究所过去3年都未能攻克的难关，使该所的外延材料质量有了质的飞跃，由此材料制备的器件的技术水平得到国际同行认可，奠定了他在MOCVD外延生长领域的地位。
此后，留学美国的经历让徐现刚对产业化有了更系统的理解，羽翼也更为丰满。“对整个MOCVD薄膜技术的应用已积累了近10年的认识，理解更深刻。”那个时候徐现刚想着回国干一番事业，2000年他毅然回到了中国，梦想着在国内通过自主创新，搭建一个国际知名的化合物半导体光电子品牌企业。 回国后的徐现刚凭借着对材料学的理解，长时间的投入思考，一步步实现着他的科技理想。 他对研究领域的热爱可以用“痴迷”来形容，对技术问题解决方法的思索渐渐融入到了他生活的每时每刻。在家吃饭时开着电视看着，当夫人跟他谈论电视场景时，他却一脸茫然，思绪早就飞到了工作上。他说起一个“红灯刹车获得灵感”的故事，也体现了他对工作是多么的投入。有一次下班后，徐现刚一边开车，一边在考虑W工艺LED结构问题。突然间，前车亮起的火红的刹车灯让徐现刚从科学思维的遨游中回到现实，正是这次的差点追尾激发的灵感成功解决了W工艺LED关键技术，将AlGaInP红黄光LED的光效由20lm/W~30lm/W提升到60lm/W，达到国内领先水平。
“一个好的理论固然很重要，但如果找不到合适的材料去支持和验证理论工作的完成，再好的思想也只是空中楼阁，更多需要一些悟性和技巧。”徐现刚说。 随着在这个领域的不断钻研，一个个技术难点得以突破，一系列的荣誉也接踵而至：洪堡学者、长江学者、泰山学者、山东省科技进步一等奖、英国工程师协会(IEE)和美国工程师协会(IEEE)最佳论文奖、国家杰出青年基金获得者、山东省十大杰出青年、山东省留学回国创业奖、国务院政府特殊津贴等。
“奖项的获得是一种促进，但更多的是压力和责任。要对得起这个奖项，对得起大家对你的肯定，所以后面更多的是一种不容松懈的动力。”徐现刚坦言，荣誉大部分是集体智慧的结晶，因为每一个大的项目都是一个系统工程，离不开整个团队的齐心协力。
文章来源：《半导体照明网》2012-5-29
徐现刚：心之所向 行之所为
他，风华正茂时已经是领路人，不惑之年仍然是开拓者。心之所向，行之所为——他像一把号角，让理想与智慧，在生命中奏响。
实干的理想主义者
“话语不多，肯钻研，好琢磨，动手能力强，善于解决实际工作中遇到的疑难问题，是很难得的实干家……”这是中国科学院院士蒋民华教授生前对其学生徐现刚的评语。
2000年当教育部宣布徐现刚教授为首批“长江学者奖励计划”特聘教授时，年仅35岁的徐现刚激情迸发：“我要发挥自己的优势，回国趟出一条半导体产业化之路。 ”
于是带着梦想回到祖国，回到培育他的母校，继续从事晶体材料的研究，并投身于产业化的尝试，组建山东浪潮华光光电子有限公司技术团队，走上产学研结合的创新之路。
回国后的徐现刚凭借着对材料学的理解和长时间的投入，一步步实现着他的科技理想。他对研究领域的热爱可以用“痴迷”来形容，对技术问题解决方法的思索融入到了他生活的每时每刻。
十多年来，由徐现刚教授领军的技术研发团队在光电子外延材料、管芯和器件研制方面持续创新，获得了业界的广泛好评。他目前承担了国家“973”、“863”、工信部电子基金等多项研发项目的开发，主要有SiC衬底制备等产业化项目，项目的研发都取得了突破性进展。
心怀梦想，并以坚定的姿态付诸现实，徐现刚教授带着他的理想，执着地行走，在这位学者肃穆而威严的脸庞上，常常可以看到温馨而充实的笑容。
走在执着之路上
徐现刚教授像一个不知疲倦的顽强战士，他为探求真理付出了艰辛的劳动。
“从1989年开始做，20多年了，一直在钻研MOCVD这个领域，对国际上的新技术方向和研究成果，我也会积极跟踪学习，结合自己的经验对研发方向做出及时的修正……”
1989年，在蒋民华院士的引导下，他投入到了化合物半导体材料的外延生长以及器件制备研究，作为国内最早进行MOCVD技术研究的团队核心成员，徐现刚教授迅速把自己的研究方向集中到化合物半导体光电子领域，并与这个产业结下了不解之缘。
1995年，获得博士学位的徐现刚为了升华对专业知识的学习，又走出了国门，先后留学德国、加拿大和美国。在国外留学期间，徐现刚将大量的时间都投入到了工作和学习中。“那个时候早上7点多到实验室，通常要工作到晚上十一二点，周末也基本都泡在里面。看的文献，摞起来有2米多高，没有那段时间的付出所打下的牢固基础，就不可能有后面取得的成果。 ”
在加拿大的留学时光，徐现刚教授至今难忘。当时，其所在的研究所承担的研究课题在生长表面光亮的外延薄膜上遇到了重大难题，他凭着以往的工作经验和刻苦研究，最终解决了研究所过去3年都未能攻克的难关，使该所的外延材料质量有了质的飞跃，由此材料制备的器件的技术水平得到国际同行认可，奠定了他在MOCVD外延生长领域的地位。
留学美国的经历让徐现刚教授对产业化有了更系统的理解，羽翼更为丰满。那时的徐现刚梦想着能回国干一番事业，于是2000年毅然回国，之后便走上了“十年磨一晶”的执着之路。
历经20多年专注的研究，他已成绩突出，功力深厚。然而在徐现刚看来，所有的成绩远不是终点。踏着执着的步伐，他走得依然坚定，因为他的目光一直投向前方。
有一种力量叫责任
劳伦斯说过：“人生始终必须负担责任。 ”在徐现刚教授的生命中，有一种力量正是“责任”。
心系故土，所以他放弃了国外的优厚生活毅然回国；情系祖国，所以他选择了祖国亟需振兴和发展的半导体产业。徐现刚教授用行动践行着古训——“天下兴亡，匹夫有责”。这绝不是说出来的，而是脚踏实地干出来的。
其实，按照徐现刚教授的背景、积累和实力，从事基础研究更得心应手，论文、成果会源源而来。但是，他深知我国的半导体产业需要振兴和发展，我们要在世界半导体产业中占有一席之地。为此，他始终不忘自己的理想和目标：为祖国半导体产业的发展趟出一条路。
回国后的徐现刚教授深刻地感受到国内外产业间存在的差距。“当时在美国做实验，设备坏了24小时之后就能获得很好的维护和维修，保证设备正常运行。而那时的中国如果一个零配件坏了，报关、进口需等半年的时间，这给实验工作造成了很大的困扰。 ”徐现刚教授感慨道：“高科技应是整个国家的高科技，原材料、核心零部件甚至关键设备都要能跟得上发展需求，都应积极扶持其国产化。”他认为，“在大面积推广的前提下，如果上游核心技术不解决，成本就很难降下来，所以一定要攻克核心技术，支持国产化。 ”
他研究的SiC，是我们国家急需的第三代半导体。一般的半导体材料在高温下就失效了，而用碳化硅做的半导体器件可以在高温下起作用。碳化硅这种高温半导体材料不仅是重要的战略物资，而且是一种极有市场前景的衬底材料。
随着不断钻研，一个个技术难点得以突破，一系列的荣誉也接踵而至：洪堡学者、长江学者、泰山学者、山东省科技进步一等奖、英国工程师协会（IEE）和美国工程师协会（IEEE）最佳论文奖、国家杰出青年基金获得者、山东省十大杰出青年、山东省留学回国创业奖、国务院政府特殊津贴等。
面对一项项的荣誉，徐现刚教授坦言：“奖项的获得是一种促进，但更多的是压力和责任。要对得起这个奖项，对得起大家对你的肯定，所以后面更多的是一种不容松懈的动力。 ”
一个朴素的人
徐现刚教授出生于山东宁阳，他像家乡的泥土一样朴实，他用老百姓般最朴素最踏实的方式，回答着科研上深奥难解的问题。
不管在学校还是在公司，徐现刚教授的勤奋、敬业和出色的科研能力都是有口皆碑的，同时他的人品也和学识一样被人赏识。“徐教授非常务实，具有科学的态度。 ”华光公司的同仁们说。
他以严谨的科学精神对待研究，并以身体力行的力量影响着学生。他的研究生崔潆心说：“老师尽管非常忙，但是一有时间就到实验室亲自指导我们做实验。 老师的要求非常严格，教导我们不但要精于专业知识，而且要广学博知，我们受益匪浅。 ”
这就是大家眼中的徐现刚教授，一位脚踏实地的实干家、一位潜心科研的学者、一位谦逊和善的朋友。他以严谨的科学态度与理性精神，渊博宽厚、温润如玉的性格，淡泊名利和率真的人生态度诠释了一位学者的风采。
徐现刚简介：山东大学晶体材料国家重点实验室副主任、长江学者特聘教授、国家杰出青年基金获得者、国务院学位委员会委员、国家“863计划”半导体照明工程总体专家组成员、享受国务院特殊津贴。长期奋斗拼搏在教学、科研第一线，关注基础研究创新，作为“973”首席科学家承担国家重大基础研究项目，承担了国家中长期规划之一的核心基础元器件重大专项、“863项目”多项。
文章来源：《山东大学报》2012-10-20
徐现刚，男，1965年1月出生，山东泰安人，博士。现任山东大学晶体材料国家重点实验室副主任，教授、博士生导师，长江学者特聘教授。
教育及工作经历：
科学研究：
论文专著：
荣誉奖励：
媒体报道一：