科学研究：
主要研究领域：
宽禁带半导体ZnO和AlN单晶材料生长、缺陷和物性研究；冶金法提纯多晶硅技术及应用开发；高效太阳电池用低位错Ge单晶生长与缺陷控制；大直径InAs单晶生长及材料性质。
承担科研项目情况：
（ 1 ） 新型中长波红外探测器衬底GaSb和InAs单晶材料制备及应用, 主持, 市地级, 2018-03--2020-12
（ 2 ） 面向红外探测应用的GaSb单晶杂质、缺陷及物性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12
（ 3 ） 4-6英寸InP单晶VGF生长技术, 主持, 院级, 2017-03--2019-12
（ 4 ） 高质量GaSb单晶衬底加工技术及红外探测应用, 主持, 市地级, 2017-08--2018-12
（ 5 ） 磷化铟材料, 主持, 国家级, 2019-10--2022-09
（ 6 ） 高纯磷化铟多晶制备技术及晶园衬底制备, 主持, 院级, 2020-01--2020-12
主要学术成绩：
通过实验研究揭示了原生磷化铟材料中氢-铟空位复合体缺陷的形成规律以及与材料电学补偿和热生缺陷的关系。通过研究和比较纯磷和磷化铁气氛下高温退火处理磷化铟材料后产生的深能级缺陷，发现了与退火过程中原子扩散有关的缺陷产生与抑制现象并给出了物理解释。在此基础上证明这些深能级缺陷大部分与铟空位有关。同时掌握了抑制深能级缺陷产生、制备高质量半绝缘磷化铟材料的物理机理和技术途径。对影响晶体完整性的因素进行了全面的分析研究，包括微缺陷的成因、结构位错的形成原因以及所产生的晶格畸变、点缺陷对晶格完整性的影响等。这些研究成果有效促地进了高质量磷化铟等材料单晶生长技术和单晶衬底制备技术的提高。
1 化合物半导体晶体生长用高纯石英器件研发及产业化 濮阳坤;赵有文;张尧;陶明顿;庞海涛;李爱霞 连云港福东正佑照明电器有限公司 2017
2 6英寸VGF法锗单晶片生产关键工艺技术研究 惠峰;李苏滨;柳廷龙;钟文;李雪峰;吕春富;董汝昆;肖祥江;赵有文;高永亮;董志远;赵燕;张丹;段鑫敏;李明宣 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 2016
3 以冷坩埚技术为寄出的光伏级多晶硅工业试验 董志远;赵有文;杨俊;王俊;段满龙;杨凤云;霍佃鑫;胡雪松;刘彤;罗龙 包头市山晟新能源有限责任公司 2012
4 深紫外LED用AlGaN材料生长研究 王军喜;赵有文;刘喆;闫建昌;马平 中国科学院半导体研究所 2008
5 半导体光电功能材料磷化铟、氮化镓和氧化锌的特性研究 许小亮;赵有文;施朝淑 中国科学技术大学 2003
6 Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体电学输运和发光特性的研究 许小亮;赵有文;施朝淑;刘洪图 中国科学技术大学 2003
制定标准：
1 磷化铟多晶 GB/T 36706-2018 2019-07-17 国家标准
2 LED外延芯片用磷化镓衬底 GB/T 30855-2014 2015-04-30 国家标准
3 LED外延芯片用砷化镓衬底 GB/T 30856-2014 2015-04-30 国家标准
4 太阳能电池用砷化镓单晶 GB/T 25075-2010 2012-03-13 国家标准
5 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 GB/T 26070-2010 2012-03-13 国家标准
发明专利：
[1]刘丽杰,赵有文,段满龙,刘鹏,王书怡. 一种磷化铟晶片的清洗方法[P]. CN113690128A,2021-11-23.
[2]赵有文,段满龙,刘鹏,卢伟,杨俊,刘京明,谢辉. 一种基于VGF法的气相掺杂的晶体生长方法[P]. CN111041550B,2021-10-12.
[3]何建军,赵有文,沈桂英,刘京明. 一种硅磷合金的制备方法[P]. CN113371714A,2021-09-10.
[4]牛智川,李农,刘冰,徐应强,王国伟,蒋洞微,吴东海,郝宏玥,赵有文,朱小贵,何胜. 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法[P]. CN113358677A,2021-09-07.
[5]周媛,赵有文,谢辉,杨俊,沈桂英,刘京明. 一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法[P]. CN112899790A,2021-06-04.
[6]刘京明,赵有文. 一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法[P]. CN109629003B,2021-05-28.
[7]赵有文,段满龙. 对VGF法生产的InP晶锭进行籽晶、引晶及结晶情况判定的方法[P]. CN109629002B,2021-03-16.
[8]沈桂英,赵有文,孙静,刘京明,余丁,谢辉. 砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法[P]. CN110205681B,2020-12-15.
[9]赵有文,沈桂英,段满龙,杨俊,卢伟,刘鹏. 基于VGF法晶体生长用石英封帽以及晶体生长装置[P]. CN211620660U,2020-10-02.
[10]谢辉,赵有文,董志远,刘京明. 一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法[P]. CN108456928B,2020-09-22.
[11]白永彪,赵有文,沈桂英,董志远,刘京明,谢晖,余丁. 籽晶保护装置及单晶生长方法[P]. CN108546986B,2020-09-15.
[12]刘彤,杨俊,刘京明,董志远,赵有文. 一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法[P]. CN105405746B,2020-09-11.
[13]赵有文,卢伟,段满龙,杨俊,刘京明. 一种基于VGF法的晶体生长用双层壁坩埚[P]. CN211005709U,2020-07-14.
[14]赵有文,段满龙,卢伟,杨俊,刘京明. 一种晶体生长装置[P]. CN211005717U,2020-07-14.
[15]余丁,赵有文,白永彪,沈桂英,董志远,刘京明,谢辉. 背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法[P]. CN108831933B,2020-05-12.
[16]赵有文,段满龙,刘鹏,卢伟,杨俊,刘京明,谢辉. 一种基于VGF法的气相掺杂的晶体生长方法[P]. CN111041550A,2020-04-21.
[17]孙静,赵有文,谢辉,沈桂英,董志远,刘京明,周媛. 掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂[P]. CN110965129A,2020-04-07.
[18]赵有文,沈桂英,段满龙,杨俊,卢伟,刘鹏. 基于VGF法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置及晶体生长工艺[P]. CN110952133A,2020-04-03.
[19]段满龙,赵有文,杨俊,刘京明,卢伟. 一种晶体生长后的退火及脱锅方法以及晶体制备方法[P]. CN110725008A,2020-01-24.
[20]段满龙,赵有文. 晶体生长的加热装置及生长装置[P]. CN209584423U,2019-11-05.
[21]赵有文,段满龙. 晶体生长用双层坩埚[P]. CN209537670U,2019-10-25.
[22]沈桂英,赵有文,孙静,刘京明,余丁,谢辉. 砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法[P]. CN110205681A,2019-09-06.
[23]陶明顿,濮阳坤,赵有文,庞海涛,张尧. 一种紫色石英管及其制备方法[P]. CN106186685B,2019-06-28.
[24]李雪峰,赵有文. 改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法[P]. CN109808085A,2019-05-28.
[25]陶明顿,濮阳坤,赵有文,庞海涛,张尧. 一种黄色石英管及其制备方法[P]. CN106219970B,2019-05-21.
[26]陶明顿,濮阳坤,赵有文,庞海涛,张尧. 一种灰色石英管及其制备方法[P]. CN106219971B,2019-05-21.
[27]陶明顿,濮阳坤,赵有文,庞海涛,张尧. 一种红色石英管及其制备方法[P]. CN106219972B,2019-05-21.
[28]赵有文,段满龙. 对VGF法生产的InP晶锭进行籽晶、引晶及结晶情况判定的方法[P]. CN109629002A,2019-04-16.
[29]刘京明,赵有文. 一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法[P]. CN109629003A,2019-04-16.
[30]段满龙,赵有文. 晶体生长的加热装置及生长装置[P]. CN109594124A,2019-04-09.
[31]谢辉,赵有文. 一种晶体生长方法[P]. CN109576776A,2019-04-05.
[32]赵有文,段满龙. 晶体生长用双层坩埚及晶体生长工艺[P]. CN109576777A,2019-04-05.
[33]余丁,赵有文,白永彪,沈桂英,董志远,刘京明,谢辉. 背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法[P]. CN108831933A,2018-11-16.
[34]白永彪,赵有文,沈桂英,董志远,刘京明,谢晖,余丁. 籽晶保护装置及单晶生长方法[P]. CN108546986A,2018-09-18.
[35]谢辉,赵有文,董志远,刘京明. 一种提高半绝缘磷化铟单晶片电阻率均匀性的方法[P]. CN108486658A,2018-09-04.
[36]谢辉,赵有文,董志远,刘京明. 一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法[P]. CN108456928A,2018-08-28.
[37]谢辉,赵有文,董志远,刘京明. 一种降低半绝缘磷化铟单晶深能级补偿缺陷的方法[P]. CN108385167A,2018-08-10.
[38]沈桂英,赵有文,白永彪,刘京明,谢辉. 一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法[P]. CN108085744A,2018-05-29.
[39]段满龙,董志远,赵有文,杨俊. 一种磷化铟的合成方法及其合成装置[P]. CN107937984A,2018-04-20.
[40]赵有文,王俊,董志远,刘京明. 用于磷化铟晶片的下盘方法[P]. CN107910246A,2018-04-13.
[41]赵有文,董志远,杨俊,段满龙. 富铟磷化铟多晶料的循环利用方法[P]. CN107829141A,2018-03-23.
[42]赵有文,段满龙,卢伟,谢辉. 消除InP晶片微缺陷的方法[P]. CN107829142A,2018-03-23.
[43]赵有文,刘京明,段满龙,董志远,刘刚. 一种晶片研磨装置[P]. CN107756232A,2018-03-06.
[44]段满龙,赵有文,杨俊,卢伟. 一种掺铁磷化铟单晶片的退火方法[P]. CN107675262A,2018-02-09.
[45]赵有文,段满龙. 磷化铟多晶水平合成装置[P]. CN206916255U,2018-01-23.
[46]苏杰,刘彤,刘京明,赵有文. 采用闭管化学气相传输方式生长Ga2O3单晶的方法[P]. CN107400919A,2017-11-28.
[47]陈晓玉,赵有文. 太阳能电池减反钝化膜及其制备方法及太阳能电池片[P]. CN107068774A,2017-08-18.
[48]杨翠柏,赵有文,段满龙,杨光辉,刘刚,刘京明,杨风云. 磷化铟晶锭切割(100)晶片的方法[P]. CN106863628A,2017-06-20.
[49]杨翠柏,赵有文,方聪,王凤华,董志远,高永亮,王俊. 熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉[P]. CN206204471U,2017-05-31.
[50]杨翠柏,赵有文,段满龙,陈丙振,刘彤,卢伟,杨俊. 磷化铟多晶水平合成装置及压力平衡控制方法[P]. CN106757360A,2017-05-31.
[51]杨翠柏,赵有文,方聪,王凤华,董志远,高永亮,王俊. 熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉[P]. CN106498487A,2017-03-15.
[52]陶明顿,濮阳坤,赵有文,庞海涛,张尧. 一种黄色石英管及其制备方法[P]. CN106219970A,2016-12-14.
[53]陶明顿,濮阳坤,赵有文,庞海涛,张尧. 一种灰色石英管及其制备方法[P]. CN106219971A,2016-12-14.
[54]陶明顿,濮阳坤,赵有文,庞海涛,张尧. 一种红色石英管及其制备方法[P]. CN106219972A,2016-12-14.
[55]赵有文,段满龙,尹朝蓉,尹文斌,孙勇. 一种棒状砷的制备方法[P]. CN106222452A,2016-12-14.
[56]陶明顿,濮阳坤,赵有文,庞海涛,张尧. 一种紫色石英管及其制备方法[P]. CN106186685A,2016-12-07.
[57]庞海涛,赵有文,濮阳坤,庄子柱,王婧姝,李骏. 石英连熔炉芯杆气压稳定装置[P]. CN205710395U,2016-11-23.
[58]刘京明,刘彤,董志远,赵有文. 一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法[P]. CN106119972A,2016-11-16.
[59]刘京明,刘彤,董志远,赵有文. 一种GaSb单晶衬底表面化学钝化的方法[P]. CN106057663A,2016-10-26.
[60]庞海涛,赵有文,濮阳坤,庄子柱,王婧姝,李骏. 石英连熔炉芯杆气压稳定装置[P]. CN105923980A,2016-09-07.
[61]刘京明,杨俊,刘彤,董志远,赵有文. 一种生长氮化铝单晶用坩埚[P]. CN205223407U,2016-05-11.
[62]刘京明,刘彤,杨俊,董志远,赵有文. 一种氮化铝单晶的位错腐蚀方法[P]. CN105483833A,2016-04-13.
[63]刘彤,杨俊,刘京明,董志远,赵有文. 一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法[P]. CN105405746A,2016-03-16.
[64]刘彤,杨俊,刘京明,董志远,赵有文. 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液[P]. CN105349290A,2016-02-24.
[65]曹可慰,赵有文. 偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法[P]. CN104862702A,2015-08-26.
[66]刘京明,刘彤,董志远,赵有文,李百泉. 一种用于高温感应加热炉的坩埚支撑架[P]. CN204530020U,2015-08-05.
[67]刘彤,杨俊,刘京明,董志远,赵有文. 一种气相法生长氮化铝晶体用原料的制备方法[P]. CN103643295A,2014-03-19.
[68]刘京明,刘彤,杨俊,董志远,赵有文. 一种用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法[P]. CN103643305A,2014-03-19.
[69]刘京明,赵有文,王凤华,杨凤云. 降低衬底表面残留杂质浓度的方法[P]. CN103021833A,2013-04-03.
[70]谢辉,赵有文. ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法[P]. CN102691108A,2012-09-26.
[71]陈腾,赵有文. 多晶硅碱性制绒方法[P]. CN102437044A,2012-05-02.
[72]赵有文,惠峰,高永亮,朱蓉辉. 半导体晶片精密化学机械抛光剂[P]. CN102234484A,2011-11-09.
[73]惠峰,赵有文,朱蓉辉,高永亮. 一种精密抛光晶片用有机物清洗液[P]. CN102234595A,2011-11-09.
[74]惠峰,赵有文,朱蓉辉,高永亮. 精密多线切割和研磨用切磨粉体材料[P]. CN102234500A,2011-11-09.
[75]惠峰,赵有文,朱蓉辉. 多线切割载荷控制方法[P]. CN102233620A,2011-11-09.
[76]惠峰,赵有文,朱蓉辉,高永亮. 双面抛光机[P]. CN201776693U,2011-03-30.
[77]赵有文,惠峰,高永亮,朱蓉辉. 扩散型兆声波清洗槽[P]. CN201720213U,2011-01-26.
[78]惠峰,赵有文,朱蓉辉. 晶片工艺卡具[P]. CN201699002U,2011-01-05.
[79]惠峰,赵有文,朱蓉辉,高永亮. 一种片状材料厚度测量装置[P]. CN201653324U,2010-11-24.
[80]占荣,惠峰,赵有文. 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法[P]. CN101603208,2009-12-16.
[81]董志远,赵有文,杨俊,段满龙. 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法[P]. CN101440516,2009-05-27.
[82]董志远,赵有文,杨俊,段满龙. 动态控制高温炉内压力的方法[P]. CN101440517,2009-05-27.
[83]赵有文,董志远,段满龙,魏学成. 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法[P]. CN1978713,2007-06-13.
[84]赵有文. 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法[P]. CN1499587,2004-05-26.
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论文专著：
发表期刊论文：
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赵有文，男，博士，现任中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师。 
教学情况：
科学中国人报道：
