科学研究：

研究方向：

1.GaAs、InP基新型微电子器件和电路用微结构材料，包括RTD与HEMT结构材料的集成设计和器件研究；

2.InAs/GaAs、InGaAs/GaAs、InAs/GaSb、InAs/Si等量子点、量子阱和超晶格结构材料及InAs/GaAs新型Hall器件的研制；

3.高应变、大失配异质材料的外延生长及其性能研究，包括ZnO/Si、GaN/Si、ZnO/金属等特殊异质结材料；

4.ZnO、ZnSe、CdTe等II-VI族和锑化物外延材料与新型光电器件的应用研究；

5.HVPE外延生长GaN厚膜材料的研究；

6.新型高效太阳电池材料、新概念太阳电池的设计与研制。

承担的科研情况：

“九五”科技攻关：MBE GaAs基微结构材料的实用化研究，1996-2000 。

科研成果：

先后在国内首次研制出室温连续激射的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料和具有室温光双稳性能的自电光效应器件材料，完成了分子束外延GaAs基微结构材料的实用化研究，实现了3mm波段用InP基HEMT材料的研制；研制出具有正入射吸收的长波长量子点红外探测器；完成了InAs/GaAs新型Hall器件实用化研究。曾获国家科技进步奖两项，中科院科技进步一等奖两项，三等奖一项，“八五”攻关个人成果奖一项。

1 高温微电子器件用GSMBE氮化物材料 孙殿照;王晓亮;王军喜;胡国新;刘宏新;朱世荣;张剑平;李晓兵;刘成海;黄运衡;曾一平;李晋闽;孔梅影;林兰英 中国科学院半导体研究所 2000

2 低阈值和高速超短光脉冲量子阱激光器 陈良惠;徐俊英;肖建伟;张敬明;孔梅影;曾一平;李立康;马朝伟;徐遵图;王丽明;毕可奎;杨国文 中国科学院半导体研究所 2000

发明专利：

1 一种有机材料升华提纯装置 曹国华;秦大山;李建平;曹峻松;曾一平 中国科学院半导体研究所 2007-07-18

2 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 王晓亮;胡国新;马志勇;冉学军;王翠敏;肖红领;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2007-07-25

3 用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备 曹国华;秦大山;李建平;曹峻松;曾一平 中国科学院半导体研究所 2007-11-21

4 采用有机电子受体层促进空穴有效注入的有机发光二极管 秦大山;曹国华;曹俊松;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2008-01-02

5 在微波、臭氧环境下ITO玻璃的处理方法与装置 曹峻松;秦大山;曹国华;曾一平;李晋闵 中国科学院半导体研究所 2008-01-30

6 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 刘兴昉;孙国胜;李晋闽;赵永梅;王雷;赵万顺;李家业;曾一平 中国科学院半导体研究所 2008-03-26

7 一种采用极化空穴注入结构的有机发光二极管 秦大山;曹国华;曹俊松;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2008-04-23

8 采用微量金属掺杂有机受体薄膜的有机发光二极管 秦大山;曹国华;曹俊松;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2008-04-23

9 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 高宏玲;曾一平;段瑞飞;王宝强;朱战平;崔利杰 中国科学院半导体研究所 2008-06-04

10 一种独立供应金属卤化物的氢化物气相外延装置 段瑞飞;王军喜;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2008-06-25

11 一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 段瑞飞;刘喆;钟兴儒;魏同波;马平;王军喜;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2008-06-25

12 一种平面微腔增强型探测器及其使用方法 郑厚植;杨富华;赵建华;曾一平;陈京好;谭平恒 中国科学院半导体研究所 2001-10-24

13 一种高温碳化硅半导体材料制造装置 李晋闽;孙国胜;朱世荣;曾一平;孙殿照;王雷 中国科学院半导体研究所 2001-12-19

14 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 崔利杰;曾一平;王保强;朱战平 中国科学院半导体研究所 2004-10-06

15 中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法 王晓峰;曾一平 中国科学院半导体研究所 2005-06-29

16 制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 王晓峰;曾一平;黄风义;王保强;朱占平 中国科学院半导体研究所 2005-10-12

17 湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 王晓峰;曾一平;孙国胜;黄风义;王雷;赵万顺 中国科学院半导体研究所 2005-11-16

18 生长高阻氮化镓外延膜的方法 王晓亮;胡国新;王军喜;冉军学;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2005-12-07

19 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2005-12-07

20 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 肖红领;王晓亮;王军喜;张南红;刘宏新;曾一平 中国科学院半导体研究所 2005-12-07

21 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 王晓亮;胡国新;王军喜;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2005-12-07

22 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 张南红;王晓亮;曾一平;肖红领;王军喜;刘宏新;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2005-12-14

23 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 孙国胜;王雷;赵万顺;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2006-01-11

24 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 王晓亮;胡国新;王军喜;王翠梅;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2006-02-01

25 在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 沈文娟;曾一平;王启元;王俊 中国科学院半导体研究所 2006-03-01

26 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 郭伦春;王晓亮;王军喜;肖红领;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2006-03-01

27 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 刘超;高兴国;李建平;曾一平 中国科学院半导体研究所 2006-05-31

28 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 王翠梅;王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2006-06-07

29 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 王晓亮;王翠梅;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2006-06-14

30 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 王晓亮;王翠梅;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2006-07-05

31 半导体材料残余应力的测试装置及方法 陈涌海;赵玲慧;曾一平;李成基 中国科学院半导体研究所 2006-09-20

32 利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 沈文娟;曾一平;王启元;王俊 中国科学院半导体研究所 2006-10-04

33 利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 沈文娟;曾一平;王俊 中国科学院半导体研究所 2006-10-04

34 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 刘喆;王军喜;钟兴儒;李晋闽;曾一平;段瑞飞;马平;魏同波;林郭强 中国科学院半导体研究所 2006-12-20

35 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 冉军学;王晓亮;李建平;胡国新;王军喜;王翠梅;曾一平 中国科学院半导体研究所 2007-01-10

36 铟砷/镓砷量子点的分子束外延生长方法 吴巨;王宝强;朱战平;曾一平 中国科学院半导体研究所 2007-03-14

37 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 刘喆;李晋闽;王军喜;王晓亮;王启元;刘宏新;王俊;曾一平 中国科学院半导体研究所 2007-05-23

38 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 王晓亮;冉军学;李建平;胡国新;王军喜;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2006-09-20

39 氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 段垚;王晓峰;崔军朋;曾一平 中国科学院半导体研究所 2009-01-14

40 一种氮化物材料外延装置 段瑞飞;王军喜;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2009-01-14

41 高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 王晓峰;段垚;崔军朋;曾一平 中国科学院半导体研究所 2008-09-24

42 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 赵永梅;孙国胜;刘兴昉;李家业;王雷;赵万顺;李晋闽;曾一平 中国科学院半导体研究所 2008-10-08

43 高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 张扬;闫发旺;高海永;曾一平;王国宏;张会肖;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2008-10-29

44 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 闫发旺;高永海;张扬;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖 中国科学院半导体研究所 2009-01-14

45 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 闫发旺;高海永;樊中朝;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖;王军喜;张扬 中国科学院半导体研究所 2009-02-25

46 一种氮化物薄膜外延生长的方法 闫发旺;高海永;张扬;张会肖;李晋闽;曾一平;王国宏 中国科学院半导体研究所 2009-06-03

47 在蓝宝石上生长大尺寸高质量氧化锌单晶厚膜的方法 何金孝;段尭;曾一平;李晋闽;王晓峰 中国科学院半导体研究所 2009-07-01

48 一种氮化物材料的外延方法 段瑞飞;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2009-07-01

49 由绝缘衬底上超薄六方相碳化硅膜外延石墨烯的方法 刘兴昉;孙国胜;李晋闽;赵永梅;王雷;赵万顺;王亮;纪刚;杨挺;曾一平 中国科学院半导体研究所 2009-07-29

50 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 赵永梅;孙国胜;宁瑾;王亮;刘兴昉;赵万顺;王雷;李晋闽;曾一平 中国科学院半导体研究所 2009-05-27

51 一种用于微电子机械系统的碳化硅微通道的制作方法 刘兴昉;孙国胜;赵永梅;王亮;王雷;赵万顺;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2009-07-01

52 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 崔军朋;段垚;王晓峰;曾一平 中国科学院半导体研究所 2009-03-18

53 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 崔军朋;段垚;王晓峰;曾一平 中国科学院半导体研究所 2009-03-18

54 有机-无机复合发光二极管及其制作方法 曹俊松;秦大山;曹国华;关敏;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2009-04-22

55 图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 赵永梅;孙国胜;刘兴昉;王亮;王雷;赵万顺;李晋闽;曾一平 中国科学院半导体研究所 2009-05-27

56 一种有机电致发光二极管 关敏;秦大山;曹峻松;曹国华;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2009-06-03

57 一种基于多晶镓砷薄膜的有机无机复合太阳能电池 关敏;秦大山;曹峻松;曹国华;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2009-07-01

58 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 闫发旺;高海永;张扬;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖 中国科学院半导体研究所 2008-12-24

59 碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 赵永梅;宁瑾;孙国胜;王亮;刘兴昉;赵万顺;王雷;李晋闽;曾一平 中国科学院半导体研究所 2009-07-01

60 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 魏同波;段瑞飞;霍自强;王军喜;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2009-09-02

61 在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法 何金孝;段尭;曾一平;王晓峰 中国科学院半导体研究所 2009-09-23

62 一种垂直结构氮化物LED的制备方法 段瑞飞;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2009-09-30

63 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 孙国胜;王雷;赵万顺;曾一平;叶志仙;刘兴昉 中国科学院半导体研究所 2009-12-02

64 有机电致发光器件及其制作方法 关敏;曹国华;李林森;曾一平;李晋闽 中国科学院半导体研究所 2009-12-23

论文专著：

先后发表研究论文100余篇。

发表论文：

1 锑化物超晶格红外探测器的研究进展 李彦波; 刘超; 张杨; 赵杰; 曾一平; 固体电子学研究与进展 2010-03-25

2 小孔径蝴蝶型光电导天线太赫兹辐射源的研究 黄振; 于斌; 赵国忠; 张存林; 崔利杰; 曾一平; 激光与红外 2009-02-15

3 锑化物半导体材料与器件应用研究进展 刘超; 曾一平; 半导体技术 2009-06-03

4 用于高速电路的InP基共振隧穿二极管制作(英文) 马龙; 黄应龙; 张杨; 王良臣; 杨富华; 曾一平; 半导体学报 2006-06-30

5 InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析 李东临; 曾一平; 物理学报 2006-07-12

6 蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长 王保柱; 王晓亮; 王晓燕; 王新华; 郭伦春; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 曾一平; 李晋闽; 半导体学报 2006-08-30

7 利用水平热壁CVD法生长的3C-SiC/Si的均匀性(英文) 李家业; 赵永梅; 刘兴昉; 孙国胜; 罗木昌; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽; 半导体学报 2007-01-15

8 HVPE生长GaN厚膜的结构和光学性能(英文) 魏同波; 马平; 段瑞飞; 王军喜; 李晋闽; 刘喆; 林郭强; 曾一平; 半导体学报 2007-01-15

9 自旋光电流与电流诱导的电子自旋极化——半导体自旋电子学的新进展 杨春雷; 王建农; 葛惟锟; 崔利杰; 曾一平; 物理 2007-01-12

10 一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路(英文) 戴扬; 黄应龙; 刘伟; 马龙; 杨富华; 王良臣; 曾一平; 郑厚植; 半导体学报 2007-03-15

11 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析 马龙; 张杨; 戴扬; 杨富华; 曾一平; 王良臣; 半导体学报 2007-04-30

12 蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长 马平; 魏同波; 段瑞飞; 王军喜; 李晋闽; 曾一平; 半导体学报 2007-06-15

13 InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究 周文政; 林铁; 商丽燕; 黄志明; 崔利杰; 李东临; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 桂永胜; 褚君浩; 物理学报 2007-07-15

14 不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究 高宏玲; 李东临; 周文政; 商丽燕; 王宝强; 朱战平; 曾一平; 物理学报 2007-08-15

15 GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性 邹继军; 常本康; 杨智; 高频; 乔建良; 曾一平; 物理学报 2007-10-15

16 HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽; 半导体学报 2008-03-15

17 低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波的辐射特性 石小溪; 赵国忠; 张存林; 崔利杰; 曾一平; 中国激光 2008-03-15

18 In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性 商丽燕; 林铁; 周文政; 黄志明; 李东临; 高宏玲; 崔利杰; 曾一平; 郭少令; 褚君浩; 物理学报 2008-04-15

19 两个子带占据的In_(0•53)Ga_(0•47)As/In_(0•52)Al_(0•48)As量子阱中填充因子的变化规律 商丽燕; 林铁; 周文政; 郭少令; 李东临; 高宏玲; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩; 物理学报 2008-06-15

20 ZnAl_2O_4缓冲层对ZnO外延层晶体质量的影响 何金孝; 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平; 李晋闽; 半导体学报 2008-07-15

21 In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应 商丽燕; 林铁; 周文政; 李东临; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 俞国林; 褚君浩; 物理学报 2008-08-15

22 水平静电驱动式多晶3C-SiC折叠悬臂梁谐振器微结构(英文) 王亮; 赵永梅; 宁瑾; 孙国胜; 王雷; 刘兴坊; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽; 半导体学报 2008-08-15

23 表面势垒形状对NEA光阴极电子能量分布的影响(英文) 邹继军; 杨智; 乔建良; 常本康; 曾一平; 半导体学报 2008-08-15

24 MBE自组装量子点生长和结构形态研究 吴巨; 金鹏; 吕小晶; 王占国; 曾一平; 王宝强; 姚然; 微纳电子技术 2008-08-15

25 Si基SiC微通道及其制备工艺 王亮; 孙国胜; 刘兴昉; 赵永梅; 宁瑾; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽; 微纳电子技术 2008-08-15

26 非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质 朱蓉辉; 曾一平; 卜俊鹏; 惠峰; 郑红军; 赵冀; 高永亮; 半导体学报 2008-09-15

27 MBE自组装量子点生长和结构形态研究(续) 吴巨; 金鹏; 吕小晶; 王占国; 曾一平; 王宝强; 姚然; 微纳电子技术 2008-09-15

28 以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征 林郭强; 曾一平; 王晓亮; 刘宏新; 半导体学报 2008-10-15

29 以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平; 发光学报 2008-10-15

30 低温下应变外延层的单层生长(英文) 段瑞飞; 王宝强; 朱占平; 曾一平 半导体学报 2003-04-08

31 无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性(英文) 孙国胜; 孙艳玲; 王雷; 赵万顺; 罗木昌; 张永兴; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 半导体学报 2003-06-08

32 RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 半导体学报 2003-06-08

33 自组织量子点的优化生长(英文) 段瑞飞; 王宝强; 朱占平; 曾一平 半导体学报 2003-10-08

34 Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究 孙国胜; 孙艳玲; 王雷; 赵万顺; 罗木昌; 李建平; 曾一平; 林兰英 发光学报 2003-04-30

35 Si(100)和蓝宝石(0001)衬底上3C-SiC的Raman研究(英文) 孙国胜; 罗木昌; 王雷; 赵万顺; 孙艳玲; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 发光学报 2003-08-30

36 Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究 孙国胜; 王雷; 罗木昌; 赵万顺; 朱世荣; 李晋闽; 曾一平; 林兰英 固体电子学研究与进展 2003-06-30

37 MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤 固体电子学研究与进展 2003-12-30

38 变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究 仇志军; 蒋春萍; 桂永胜; 疏小舟; 郭少令; 褚君浩; 崔利杰; 曾一平; 朱战平; 王保强 物理学报 2003-11-12

39 RF-MBE生长的高Al势垒层AlGaN/GaN HEMT结构(英文) 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 刘新宇; 刘键; 冉军学; 钱鹤; 曾一平; 李晋闽 半导体学报 2005-06-08

40 GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为 刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平; 李晋闽 半导体学报 2005-06-08

41 蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RFMBE生长 肖红领; 王晓亮; 张南红; 王军喜; 刘宏新; 韩勤; 曾一平; 李晋闽 半导体学报 2005-06-08

42 SOI衬底对3CSiC异质外延薄膜内残存应力的影响(英文) 王晓峰; 黄风义; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李海鸥; 段晓峰 半导体学报 2005-09-08

43 高积分光电灵敏度多层Be浓度掺杂的GaAs负电子亲和势光电阴极(英文) 王晓峰; 曾一平; 王保强; 朱占平; 杜晓晴; 李敏; 常本康 半导体学报 2005-09-08

44 输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件(英文) 王晓亮; 刘新宇; 胡国新; 王军喜; 马志勇; 王翠梅; 李建平; 冉军学; 郑英奎; 钱鹤; 曾一平; 李晋闽 半导体学报 2005-10-08

45 厚度对Si衬底上生长的ZnO薄膜性能的影响(英文) 沈文娟; 王俊; 段垚; 王启元; 曾一平 半导体学报 2005-11-08

46 MEMS用Si台面及SiO_2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长(英文) 孙国胜; 王雷; 巩全成; 高欣; 刘兴日方; 曾一平; 李晋闽; 人工晶体学报 2005-12-30

47 4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管(英文) 孙国胜; 宁瑾; 高欣; 攻全成; 王雷; 刘兴日方; 曾一平; 李晋闽; 人工晶体学报 2005-12-30

48 在复合衬底γ-Al_2O_3/Si(001)上生长GaN 刘喆; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领; 王晓亮; 曾一平; 半导体学报 2005-12-08

49 RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文) 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘新宇; 刘键; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 钱鹤; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英 半导体学报 2004-02-08

50 Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长 王军喜; 王晓亮; 刘宏新; 胡国新; 李建平; 李晋闽; 曾一平 半导体学报 2004-06-08

51 溶胶-凝胶法制备ZnO纳米薄膜的工艺和应用 刘超; 李建平; 孙国胜; 曾一平 发光学报 2004-04-30

52 高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷 董志远; 赵有文; 曾一平; 段满龙; 李晋闽 中国科学E辑:工程科学 材料科学 2004-05-20

53 3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性(英文) 张永兴; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 高欣; 曾一平; 李晋闽; 李思渊 半导体学报 2004-09-08

54 可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底的制备(英文) 孙国胜; 张永兴; 高欣; 王军喜; 王雷; 赵万顺; 王晓亮; 曾一平; 李晋闽 半导体学报 2004-10-08

55 4H-SiC低压热壁CVD同质外延生长及特性(英文) 孙国胜; 高欣; 张永兴; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 半导体学报 2004-12-08

56 n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱(英文) 高欣; 孙国胜; 李晋闽; 王雷; 赵万顺; 张永新; 曾一平 半导体学报 2004-12-08

57 厚表层Si柔性绝缘衬底上SiC薄膜的外延生长 王晓峰; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 黄风义; 曾一平 半导体学报 2004-12-08

58 一种新材料结构的RTD器件的设计及实现(英文) 王建林; 王良臣; 曾一平; 刘忠立; 杨富华; 白云霞 半导体学报 2005-01-08

59 RTD与PHEMT集成的几个关键工艺 王建林; 刘忠立; 王良臣; 曾一平; 杨富华; 白云霞 半导体学报 2005-02-08

60 MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 半导体学报 2005-03-08

61 硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展 高兴国; 刘超; 李建平; 曾一平; 李晋闽 微电子学 2005-02-20

62 水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜的研究 高欣; 孙国胜; 李晋闽; 赵万顺; 王雷; 张永兴; 曾一平 半导体学报 2005-05-08

63 MBE生长的InAs薄膜Hall器件 周宏伟; 曾一平; 李歧旺; 王红梅; 潘量; 孔梅影 半导体学报 1999-10-08

64 质子辐照对GaAs/AlGaAs多量子阱材料光学性质的影响 黄万霞; 林理彬; 曾一平; 潘量 半导体学报 1999-11-08

65 衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响 于磊; 曾一平; 潘量; 孔梅影; 李晋闽; 李灵霄; 周宏伟 半导体学报 2000-07-08

66 GSMBE生长的高质量氮化镓材料 孙殿照; 王晓亮; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 侯洵; 林兰英 半导体学报 2000-07-08

67 MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料 曹昕; 曾一平; 孔梅影; 王保强; 潘量; 张昉昉; 朱战萍 半导体学报 2000-09-08

68 高质量氮化镓材料的光致发光研究 王军喜; 孙殿照; 王晓亮; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 侯洵; 林兰英 应用光学 2001-04-25

69 Si(100)衬底上高质量3C-SiC的改良外延生长(英文) 孙国胜; 王雷; 罗木昌; 赵万顺; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 半导体学报 2002-08-08

70 GaAs基分子束外延材料的市场和产业化 孔梅影; 曾一平 固体电子学研究与进展 2002-06-30

71 非原生掺杂半绝缘磷化铟(InP)及其应用对比 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 科学通报 2002-12-15

72 MBE生长高质量GaAs／AlGaAs量子阱激光器 杨国文; 肖建伟; 徐遵图; 张敬明; 徐俊英; 郑婉华; 曾一平; 陈良惠 半导体学报 1994-09-08

73 分子束外延GaAs_（1－x）Sb_x／GaAs及界面失配研究 阎春辉; 郑海群; 范缇文; 孔梅影; 曾一平; 黄运衡; 朱世荣; 孙殿照 半导体学报 1994-10-08

74 具有宽带响应的GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器 李晋闽; 郑海群; 曾一平; 孔梅影 红外与毫米波学报 1994-10-25

75 晶格匹配型单量子阱GaAs/AI_xGa_(1-x)As半导体电极的光电化学行为 刘尧; 肖绪瑞; 李学萍; 阎春辉; 曾一平; 孙殿照; 郑海群; 国红熙 科学通报 1994-08-23

76 进一步提高我国分子束外延技术的探讨 孔梅影; 梁基本; 曾一平 高技术通讯 1994-01-28

77 GaAs／AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器 李晋闽; 郑海群; 曾一平; 孔梅影 半导体学报 1995-01-08

78 高质量GaAs－AlGaAs材料MBE生长研究及其应用 杨国文; 肖建伟; 徐遵图; 郑婉华; 曾一平; 徐俊英; 张敬明; 陈良惠 半导体学报 1995-08-08

79 多量子阱GaAs／Al_xGa_（1－x）As电极的瞬态光电流行为 刘尧; 肖绪瑞; 林原; 曾一平; 孙殿照; 郑海群 电化学 1995-02-25

80 GaAs／AlxGa_（1－x）As量子阱电极／非水溶液界面性能的研究 刘尧; 肖绪瑞; 曾一平; 孙殿照; 阎春辉; 郑海群 电化学 1995-05-25

81 气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料 袁瑞霞; 阎春辉; 国红熙; 李晓兵; 朱世荣; 曾一平; 李灵霄; 孔梅影 半导体学报 1996-01-08

82 匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析 王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 候洵; 曾一平 半导体学报 1997-06-08

83 光栅耦合量子阱红外探测器一维光栅的光谱响应 潘栋; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影 半导体学报 1997-06-08

84 50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs应变超晶格的生长 潘栋; 曾一平; 吴巨; 王红梅; 李晋闽; 孔梅影 半导体学报 1997-06-08

85 In_xGa_(1-x)As/InP应变多量子阱P-i-N结构的GSMBE生长及X射线双晶衍射研究 王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平 半导体学报 1997-07-08

86 压应变In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP单量子阱的变温光致发光研究 王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平 半导体学报 1997-09-08

87 高质量GaN材料的GSMBE生长 王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 张剑平; 付荣辉; 朱世荣; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 半导体学报 1997-12-08

88 MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响 曾一平; 孔梅影; 王晓亮; 朱世荣; 李灵霄; 李晋闽 电子显微学报 1997-08-25

89 分子束外延GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层量子阱材料的研究 宋珂; 张福厚; 邢建平; 曾一平 光电子•激光 1997-06-30

90 In_(0.63)Ga_(0.37)As/InP压应变量子阱的GSMBE生长及特性研究 王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平; 李建平; 李灵霄; 朱世荣 红外与毫米波学报 1997-02-25

91 晶格匹配型GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱电极光电转换性能的研究 刘尧; 肖绪瑞; 曾一平; 阎春辉; 郑海群; 孙殿照 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 1997-03-15

92 具有超晶格缓冲层的量子阱激光器的研制 张福厚; 宋珂; 邢建平; 郝修田; 曾一平 中国激光 1997-02-25

93 分子束外延具有GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层的量子阱材料 宋珂; 张福厚; 邢建平; 曾一平 科技通报 1997-11-20

94 In_(0.28)Ga_(0.72)As/GaAs量子点超晶格的生长 潘栋; 曾一平; 吴巨; 孔梅影 科学通报 1997-08-08

95 GaN材料的GSMBE生长 王晓亮; 孙殿照; 李晓兵; 黄运衡; 朱世荣; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英 高技术通讯 1997-03-28

96 量子阱激光器超晶格缓冲层的研究 张福厚; 陈江华; 李树强; 于复生; 曾一平 半导体光电 1998-06-30

97 InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究 王红梅; 曾一平; 周宏伟; 董建荣; 潘栋; 潘量; 孔梅影 半导体学报 1998-06-15

98 In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 侯洵; 曾一平 半导体学报 1998-06-15

99 MBE生长InAs薄膜输运性质的研究 周宏伟; 董建荣; 王红梅; 曾一平; 朱占萍; 潘量; 孔梅影 半导体学报 1998-09-15

100 GSMBE GaN膜的电子输运性质研究 王晓亮; 孙殿照; 孔梅影; 张剑平; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 半导体学报 1998-12-15

101 InGaAs/GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收 庄乾东; 李晋闽; 曾一平; 潘量; 孔梅影; 林兰英 红外与毫米波学报 1998-12-25

102 分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究 梁基本; 孔梅影; 王占国; 朱战萍; 段维新; 王春艳; 张学渊; 曾一平 半导体学报 1993-12-27

103 InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究 孟祥敏; 曾一平; 胡魁毅; 吴玉琨; 电子显微学报 1993-05-01

104 GaAs-GaAlAs多量子阱结构发光的激子性质和温度特性 徐仲英; 梁基本; 许继宗; 郑宝真; 李玉璋; 徐俊英; 曾一平; 葛惟锟 半导体学报 1987-04-01

105 优质量子阱的MBE生长和性能研究 孔梅影; 孙殿照; 梁基本; 黄运衡; 曾一平 固体电子学研究与进展 1988-04-01

106 有并联电导的调制掺杂N-Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结 朱詠堂; 周海平; 董谋群; 江丕桓; 孙殿照; 陈宗圭; 曾一平 固体电子学研究与进展 1988-04-01

107 分子束外延高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构 梁基本; 孔梅影; 孙殿照; 曾一平; 黄运衡 半导体学报 1988-03-01

108 GaAs/P型Al_xGa_(1-x)As异质结界面二维空穴的量子输运特性 周海平; 郑厚植; 杨富华; 曾一平; 苏爱民 半导体学报 1989-03-02

109 GaAs/GaAlAs多量子阱激子吸收谱 曾安; 吴荣汉; 曾一平; 孔梅影; 王启明 半导体学报 1989-11-27

110 AlGaAs/GaAs多量子阱激光器 徐俊英; 李立康; 张敬明; 曾安; 傅方正; 陈良惠; 曾一平; 孙殿照; 孔梅影 中国激光 1990-12-31

111 GaAs MISHFET的研制 杨沁清; 高俊华; 曾一平; 孔梅影; 孙殿照 半导体学报 1990-07-30

112 GaAs/GaAlAs量子限制Stark效应及自电光双稳现象的实验研究 吴荣汉; 段海龙; 曾一平; 王启明; 林世鸣; 孔梅影; 张权生; 江德生; 谢茂海 半导体学报 1990-09-28

113 量子阱材料的电子显微镜及光致发光研究 范缇文; 张永航; 曾一平; 陈良惠; 徐统 半导体学报 1990-09-28

114 分子束外延反射式高能电子衍射的强度振荡采集系统及其应用 张晓秋; 朱战萍; 孙殿照; 孔梅影; 曾一平; 郑海群; 阎春辉 真空科学与技术 1990-06-30

115 GaAs/GaAlAs多量子阱自电光效应光学双稳态 吴荣汉; 段海龙; 王启明; 曾一平; 孔梅影; 潘钟; 张权生; 林世鸣 半导体学报 1991-03-02

116 GaAs/AlGaAs多量子阱室温光电流谱 段海龙; 王启明; 吴荣汉; 曾一平; 孔梅影 半导体学报 1991-07-30

117 化学束外延生长GaAs/GaAs,InGaAs/GaAs,InP/InP,InGaAs/InP多量子阱材料 孙殿照; 阎春辉; 国红熙; 朱世荣; 黄运衡; 曾一平; 孔梅影; 半导体情报 1991-06-30

118 InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究 韩春林; 张杨; 曾一平; 高建峰; 薛舫时; 陈辰; 2007年全国微波毫米波会议论文集（上册） 2007-10-01

119 蓝宝石(0001)衬底上p-3C-SiC欧姆接触的研究 孙艳玲; 孙国胜; 刘肃; 王雷; 赵万顺; 罗木昌; 曾一平; 林兰英; 2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集 2002-10-01

120 化学气相沉积4H-SiC同质外延膜的生长及其特征研究 高欣; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 李晋闽; 曾一平; 罗木昌; TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集 2003-09-01

121 低温生长的砷化镓太赫兹透射与发射光谱的研究 李淼; 赵国忠; 崔利杰; 曾一平; 光电技术与系统文选——中国光学学会光电技术专业委员会成立二十周年暨第十一届全国光电技术与系统学术会议论文集 2005-08-01

122 MBE生长温度对InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器性能的影响 曾一平; 孔梅影; 王晓亮; 朱世荣; 李灵霄; 李晋闽; 1996年中国青年学者物理学讨论会——薄膜材料与物理论文集 1996-06-01

123 InSb/GaAs界面的高分辨电镜研究 孟祥敏; 曾一平; 胡魁毅; 吴玉琨; 第七次全国电子显微学会议论文摘要集 1993-04-01

124 三势垒双阱隧穿结构中调控发射阱中的电子积累对电子共振隧穿特性的影响 朱汇; 郑厚植; 李桂荣; 牛智川; 曾一平; 张飞; 孙晓明; 谈笑天; 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集 2007-09-01

125 三势垒隧穿结构中的高峰谷比光生空穴共振隧穿 朱汇; 郑厚植; 李桂荣; 牛智川; 曾一平; 张飞; 孙晓明; 谈笑天; 第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集 2007-09-01

荣誉奖励：

2007年度中国材料研究学会科学技术进步二等奖。

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