科学研究：

研究方向：

主要从事从事半导体器件、电路、微传感器的设计、制造及辐射加固研究，近年来重点研究抗辐射SOICMOS SRAM、抗辐射SOICMOS FPGA及宽带隙半导体SiC 功率器件。

承担的科研项目情况：

长期从事辐射加固集成电路、微传感器及半导体功率器件研究，是我国最早研制成功MOSFET及JFET器件的主要研究人员之一。20世纪60年代后期至70年代中期，在高质量SiO₂ 生长、检测以及MOS器件稳定性和可靠性方面，做出了很多有意义的开拓性研究成果，1974年负责研制成功CMOS指针式电子手表电路，荣获北京市科技二等奖。1980－1982年，作为访问学者在德国多特蒙德大学电子系从事新CMOS器件研究，首创性地提出并负责研制成功离子注入氮形成隐埋Si₃N₄的CMOS/SOI器件，得到国际同行的认可。1990-1991年，在德国HMI核研究所任客座教授从事MOS器件辐射物理研究，取得有意义的成果。1982年-1989年，负责研制成功“抗辐射CMOS/SOS集成电路”及“长寿命卫星抗辐射集成电路”，电路的抗辐射指标达到国际上相应电路的最好水平，分别获1987年及1991年中科院科技进步二等奖；1992年获国防科工委光华基金二等奖；1993年获国家政府特殊津贴及中科院优秀教师称号； 1995负责研制成功重点工程CMOS/SOS抗辐射CMOS/SOS集成电路，获中科院科技进步三等奖。“八五” 、“九五”及“十五”期间，负责多项国家重大研究课题，均已通过验收，其中同中科院微电子所合作完成的”64K抗辐射CMOS/SOI SRAM”院重点创新项目，同中电集团58所合作完成的十五预研项目”128K抗辐射CMOS/SOI SRAM”,开拓了我国抗辐射CMOS/SOI辐射加固集成电路的研究领域。此外，“九五”至“十五”期间还负责研制成功高反压SiC二极管、SiC肖特基二极管、SiC MOS管等国内一流的研究成果，十一五责研制成功5万门抗辐射CMOS/SOI FPGA电路已通过验收，辐射指标达国际先进水平。

科研成果：

1、1974年负责研制成功我国第一个CMOS指针式电子手表电路，获北京市科技二等奖。

2、1980年提出并研制成功的离子注入氮形成隐埋的Si₃N₄层不用处延硅的CMOS/SOI器件是国际上开创性的工作。

3、负责的“抗辐射CMOS/SOS集成电路”及“长寿命卫星用抗辐射集成电路”研究项目分别获1987年及1991年中科院科技进步二等奖。

4、负责的国防重点工程抗辐射加固CMOS/SOS集成电路1995年获中科院科技进步三等奖。

发明专利：

1、集成电路的保护结构， 刘忠立，刘荣环， 和致经， 中国科学院半导体研究所， 1990-01-31。

2、一种功率MOSFET驱动电路， 高峰， 李春寄，刘忠立，于芳 ，中国科学院半导体研究所， 2007-10-17。

3、一种幅度调制隔离反馈控制电路，高峰， 李春寄， 刘忠立，于芳，中国科学院半导体研究所 ，2007-10-17。

4 、一种可重构的乘法器， 余洪敏， 陈陵都， 刘忠立，中国科学院半导体研究所， 2010-01-13。

5、针对多模式逻辑单元可编程门阵列的工艺映射方法， 张琨，周华兵， 陈陵都， 刘忠立，中国科学院半导体研究所， 2010-02-24。

6、全集成高线性三角波发生器， 李霄鹍， 石寅， 刘忠立， 中国科学院半导体研究所 ，2006-06-21。

7、形成于PD SOI 衬底上的静态随机存储器及其制作方法，赵凯， 刘忠立， 姜凡， 中国科学院半导体研究所， 2007-07-04。

8、改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元， 赵凯， 刘忠立， 于芳， 中国科学院半导体研究所， 2009-05-27 。

论文专著：

已在国内外主要刊物上发表了90余篇论文，著有30万字专著《CMOS集成电路原理、制造及应用》一本。

出版专著：

1. 《CMOS集成电路原理制造及应用》，刘忠立，电子工业出版社，1990年。

2. 《研究生专业参考教程第一卷》，本书共六章，刘忠立著第六章：“微电子学中的半导体器件”，1995年，中科院半导体所内部发行。

3. 《电子器件抗辐射加固技术》，本书共九章，刘忠立著第七章：“CMOS/SOS 及 CMOS/SOI 集成电路的辐射效应及加固技术”，装备部出版, 2001年。

4. 《特高频射频识别技术及应用》，李全圣，刘忠立，吴里江，国防工业出版社，2001年。

出版译著：

1. 《半导体辐射探测器》，刘忠立译，国防工业出版社， 2004年。

2. 《先进半导体材料及器件的辐射效应》，刘忠立译，国防工业出版社， 2008年。

发表论文：

1. 刘忠立，论N沟道增强型MOS晶体管，半导体通讯，1973，No.3, pp1-7.

2. 刘忠立，用于钝化钠离子的掺HCL氧化方法，全国半导体表面钝化会议，1975，pp126-130.

3. 刘忠立，P沟Si栅N沟Al栅CMOS手表电路，半导体通讯，1976, No.3, pp1-10.

4. 刘忠立，一种简易的监控Si-SiO₂界面质量的水银探针，物理学报，1977, Vol.26, No.3, pp281-284.

5. 刘忠立，用于MOS器件阈值电压设计的诺摸图，无线电技术，1977, pp44-45.

6. Liu Zhongli, et al, CMOS Devices Buried Silicon Nitride Formed by Nitrogen Implantation, Proceeding of 12^th ESSDERC, Sept.1982, pp172.

7. G.Zimmer, Liu Zhongli, et al, Buried Silicon-Nitride Layers Formed by Nitrogen-Ion Implantation and High-Temperature Annealing, Ion Implantation Equipment and Technology (H.Ryssel and H.Glawishs), 1983, pp426-432.

8. Zimmer G, Neubert E, Zetzmann, W, Liu, Z, CMOS-DEVICES ISOLATED BY ION-IMPLANTED BURIED SILICON NITRIDE, Technical Digest - International Electron Devices Meeting, 1982, pp 789-790.

9. G.Zimmer, Liu Zhongli, et al, CMOS Technologie auf Vergrabennen Ziliziumnitrid, MTG-Fachtagung Grossintegration, 1982, pp130-133.

10. 刘忠立等，离子注入氮化硅隔离的CMOS器件，半导体学报，1983, Vol.4，No.6，pp601-605.

11. 刘忠立，N阱全离子注入硅栅CMOS工艺中短和窄沟MOS晶体管的某些实验特性，第三届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集，1983, pp282-283.

12. Liu Zhongli, et al, High Performance Radiation Tolerant CMOS/SOS ICs, Institute of Semiconductors, Academy Sinica,Research Progress Report, 1985-1986, Vol.5, pp38-40.

13. 刘忠立等， SOS/CMOS集成电路的研制及其在存储电路中的应用展望，第五届信息存储技术学会论文集， 1986.

14. 刘忠立等，加固至抗γ总剂量达10⁷ Rad(Si)的SOS/CMOS ICs，抗核加固，1987, Vol.4, No.1.

15. 刘忠立等，高水平抗辐射SOS/CMOS集成电路，第五届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集，pp139-141.

16. 刘忠立等，CMOS/SOS集成电路输入保护电路设计，“抗核辐射电子学会论文集”，1987.

17. Liu Zhongli, et al, An Excellent High Voltage NMOS/SOS Driver, the Proceeding of the Second International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Oct. 1989, pp 449-451.

18. 刘忠立等，一种优良的NMOS/SOS驱动器，第六届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集，1989, pp216-217.

19. 刘忠立等，用于通信卫星上的CMOS/SOS集成电路， 抗核加固，1990, No.3.

20. 刘荣寰，刘忠立等，加固的CMOS/SOS集成电路抗γ瞬态辐射的最新结果，抗核加固，1990, No.3.

21. 刘忠立等，多晶硅掺杂方式对MOS电容器电离辐射特性的影响，抗核加固技术研究，1992年部分成果集，国防预研抗辐射加固项目办公室编，1992, pp 130-132.

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23. 刘忠立，MOS电容器中电离辐射产生的界面态同SiO₂内被陷阱俘获的空穴电荷之间的关系， 第五届全国抗辐射电子学学术会议，1993, pp69-71.

24. 刘忠立，军用CMOS/ SOS的可靠性及发展动态，军用电子元器件可靠性论文选，国防科工委军用电子元器件可靠性专业组编，1994, pp32-36.

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